Вышедшие номера
Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba
Переводная версия: 10.1134/S1063784219070260
Умирзаков Б.Е.1, Ташмухамедова Д.А.1, Турсунов М.А.1, Эргашов Ё.С. 1, Аллаярова Г.Х.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: ftmet@mail.ru, yergashev@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 января 2019 г.
В окончательной редакции: 10 января 2019 г.
Принята к печати: 20 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Впервые оценены зоны выхода λ' истинно-вторичных электронов и фотоэлектронов чистого CdTe и CdTe с пленкой Ba толщиной theta≤1 монослоя. Показано, что с уменьшением работы выхода поверхности на 2 eV значение λ' увеличивается в 1.2-1.3 раза.