Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аномальное поведение боковой C-V-характеристики МНОП-транзистора со встроенным локальным зарядом в нитридном слое
Переводная версия: 10.1134/S1063784219070053 
Министерство инновационного развития республики Узбекистан, фундаментальные исследования, ОТ-Ф2-67
1Ургенческий государственный университет, Ургенч, Узбекистан 
2Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
2Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
Email: Zuhra.atamuratova88@mail.ru, ayus@mail.ru, Bunyod19961125@mail.ru, atabek.atamuratov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 16 августа 2018 г.
В окончательной редакции: 2 ноября 2018 г.
Принята к печати: 14 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Выполнено моделирование C-V-зависимости для бокового перехода исток-подложка транзистора металл-нитрид-оксид-полупроводник. Встраивание локального ловушечного заряда в нитридный слой приводит к аномальному скачку или спаду емкости перехода при определенных напряжениях на переходе, зависящих от концентрации легирующей примеси в подложке. Такое изменение емкости связано с перераспределением носителей заряда в приповерхностной области подложки, вызванным встраиванием локального заряда. Данная особенность поведения вольт-фарадной характеристики может быть использована для детектирования локального заряда, встроенного в диэлектрический слой полевого транзистора.
- Kaczer B., Franco J., Weckx P., Roussel Ph.J., Putcha V., Bury E., Simicic M., Chasin A., Linten D., Parvais B., Catthoor F., Rzepa G., Waltl M., Grasser T. // Microelectron. Reliab. 2018. Vol. 81. P. 186-194
- Fleetwood D.M. // Microelectron. Reliab. 2018. Vol. 80. P. 266-277
- Heesoon C., Somyeong S., Jaehoon C., Sunae S. // Curr. Appl. Phys. 2015. Vol. 15. N 11. P. 1412-1416
- Eitan B., Pavan P., Bloom I., Aloni E., Frommer A., Finzi D. // IEEE Electr. Device Lett. 2000. Vol. 21. N 11. P. 543-545
- Rosmeulen M., Breuil L., Lorenzini M., Haspeslagh L., Van Houdt J., De Meyer K. // Solid-State Electron. 2004. Vol. 48. N 9. P. 1525-1530
- Barrett R.C., Quate C.F. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70. P. 2725-2733
- Girard P. // Nanotechnology. 2001. Vol. 12. P. 485-490
- Shin H., Hong S., Moon J., Up Jeon J. // Ultramicroscopy. 2002. Vol. 91. N 1-4. P. 103-110
- Groeseneken G., Maes H.E. // Microelectron. Reliab. 1998. Vol. 38. P. 1379-1389
- Atamuratov A.E., Aminov U.A., Atamuratova Z.A., Halillоev M., Аbdikarimov A.A., Matyakubov H. // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2015. Vol. 6. N 6. P. 837-842
- Атамуратов А.Е., Матрасулов Д.У., Хабибуллаев П.К. // Докл. РАН. 2007. Вып. 414. N 6. С. 761-764. [ Atamuratov A.E., Matrasulov D.U., Khabibullaev P.K. // Doklady Physics. 2007. Vol. 52. N 6. P. 322-325.]
- Yatsuda Y., Nabetani S., Uchida K., Minami S.-I., Terasawa M., Hagiwara T., Katto H., Yasni T. // IEEE Tr. Electron. Dev. 1985. Vol. 32. P. 224-234
- Akamine S., Barrett R.C., Quate C.F. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. P. 316-321
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
