Проведена низкоэнергетическая имплантация ионами Ag⁺ в монокристаллический c-Si с энергией E = 30 keV при дозе облучения от 1.25· 10¹⁵ до 1.5· 10¹⁷ ion/cm² и плотности тока в ионном пучке от 2 до 15 μA/cm². C помощью сканирующей, просвечивающей электронной и атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности имплантированных образцов, а также проанализирована их структура методами дифракции отраженных электронов и элементного микроанализа. Показано, что при минимальных используемых дозах облучения c-Si происходит аморфизация его приповерхностного слоя. Установлено, что в результате ионной имплантации при превышении пороговой дозы ~3.1· 10¹⁵ ion/cm² в облучаемом слое Si образуются наночастицы Ag, однородно распределенные по поверхности Si. При дозе более 10¹⁷ ion/cm² наблюдается образование пористой структуры Si при этом, функция распределения наночастицы серебра по размерам становится бимодальной, и наиболее крупные частицы локализованы по стенкам Si-пор.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.