Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2018, выпуск 11 » Статья стр. 1726
<<<>>>
Неравномерная упругая деформация и мемристорный эффект в ориентированных углеродных нанотрубках
DOI: 10.21883/JTF.2018.11.46637.2301
Переводная версия: 10.1134/S1063784218110129
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м, 16-29-14023
Южный Федеральный Университет (внутренний грант), ВнГр-07/2017-26
Ильина М.В. 1, Ильин О.И. 1, Блинов Ю.Ф. 1, Смирнов В.А. 1, Агеев О.А. 1
1Южный федеральный университет, НОЦ "Нанотехнологии", Таганрог, Россия
Email: mailina@sfedu.ru, oiilin@sfedu.ru, blinovyf@sfedu.ru, vasmirnov@sfedu.ru, ageev@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
PDF версия
Представлены результаты моделирования упругой деформации ориентированной углеродной нанотрубки под действием локального внешнего электрического поля. Разработана методика формирования контролируемой неравномерной упругой деформации в вертикально ориентированной углеродной нанотрубке, которая является необходимым условием для проявления воспроизводимого мемристорного эффекта в нанотрубке. Проведены экспериментальные исследования токопрохождения в упруго деформированных углеродных нанотрубках с аспектным отношением от 20 до 30. Показано, что увеличение значения относительной деформации нанотрубки от 0.02 до 0.07% вызывает увеличение ее сопротивления в высокоомном состоянии в 5.2 раза за счет роста внутреннего электрического поля, что приводит к усилению мемристорного эффекта в ней.
  1. Meena J.S., Sze S.M., Chand U., Tseng T.-Y. // Nanoscale Res. Lett. 2014. Vol. 9. N 1. P. 1--33
  2. Zhu J.G. // Proc. IEEE. 2008. Vol. 96. P. 1786--1798
  3. Raoux S., Burr G.W., Breitwisch M.J., Rettner C.T., Chen Y.-Ch., Shelby R.M., Salinga M., Krebs D., Chen Sh.-H., Lung H.-L., Lam Ch.H. // IBM J. Res. Dev. 2008. Vol. 52. N 4/5. P. 465--479
  4. Akinaga H., Shima H. // Proc. IEEE. 2010. Vol. 98. N 12. P. 2237--2251
  5. Chua L.O. // Proc. IEEE. 2003. Vol. 91. N 11. P. 1830--1859
  6. Yang J.J., Strukov D.B., Stewart D.R. // Nature Nanotech. 2013. Vol. 8. P. 13--24
  7. Chua L.O. // Appl. Phys. A. 2011. Vol. 102. P. 765--783
  8. Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. Vol. 453. P. 80--83
  9. Rueckes T., Kim K., Joselevich E., Tseng G.Y., Cheung C.-L., Lieber C.M. // Science. 2000. Vol. 289. N 7. P. 94--97
  10. Ren Z., Lan Y., Wang Y. Aligned Carbon Nanotubes: Physics, Concepts, Fabrication and Devices. NanoScience and Technology. Berlin: Springer, 2013. 299 p
  11. Il'ina M.V., Il'in O.I., Blinov Yu.F., Smirnov V.A., Kolomiytsev A.S., Fedotov A.A., Konoplev B.G., Ageev O.A. // Carbon. 2017. Vol. 123. P. 514--524
  12. Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Ильин О.И., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А. // ФТТ. 2015. N 4. С. 807--813. [ Ageev O.A., Blinov Yu.F., Il'in O.I., Konoplev B.G., Rubashkina M.V., Smirnov V.A., Fedotov A.A. // Phys. Sol. Stat. 2015. Vol. 57. N 4. P. 825--831]
  13. Bartolomeo A.D., Scarfato A., Giubileo F., Bobba F., Biasiucci M., Cucolo A.M., Santucci S., Passacantando M. // Carbon. 2007. Vol. 45. P. 2957--2971
  14. Gorodetskiy D.V., Gusel'nikov A.V., Shevchenko S.N., Kanygin M.A., Okotrub A.V., Pershin Y.V. // J. Nanophotonics. 2016. Vol. 10. N 1. P. 012524
  15. Zuo Y., Ren Y., Wang Z., Han X., Xi L. // Organic Electronics. 2013. Vol. 14. P. 2306--2314
  16. Parveen Sh., Husain S., Kumar A., Ali J., Husain H., Husain M. // ISRN Nanomaterials. 2012. V. 2012. N. 971854. P. 1?5
  17. Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Ильин О.И., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 12. С. 128--133. [ Ageev O.A., Blinov Yu.F., Il'in O.I., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Rubashkina M.V., Smirnov V.A., Fedotov A.A. // Tech. Phys. 2013. Vol. 58. N 12. P. 1831--1836.]
  18. Liu B., Jiang H., Johnson H.T., Huang Y. // J. Mech Phys. Sol. 2004. Vol. 52. P. 1--26
  19. Nakayama Y., Nagataki A., Suekane O., Cai X., Akita S. // Jpn. J. Appl. Phys. 2005. Vol. 44. N 23. P. 720--722
  20. Zelisko M.A., Hanlumyuang Y.B., Yang S.C., Liu Y.D., Lei C.D., Li J.D., Ajayan P.M.C., Sharma P. // Nat. Commun. 2014. Vol. 5. P. 1--7
  21. Chandratre S., Sharma P. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100. P. 023114
  22. Maranganti R., Sharma N.D., Sharma P. // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 74. P. 014110
  23. Lu W., Wang D., Chen L. // Nano Lett. 2007. Vol. 7. N 9. P. 2729--2733
  24. Kozinsky B., Marzari N. // Phys. Rev. Let. 2006. Vol. 96. P. 166801
  25. Mayer A. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. P. 235333
  26. Dietzel D., Marsaudon S., Aime J.P., Nguyen C.V., Couturier G. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 035445
  27. Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Ильина М.В., Ильин О.И., Смирнов В.А., Цуканова О.Г. // ФТТ. 2016. N 2. С. 301--306. [ Ageev O.A., Blinov Yu.F., Il'ina M.V., Il'in O.I., Smirnov V.A., Tsukanova O.G. // Phys. Sol. Stat. 2016. Vol. 58. N 2. P. 309--314.]
  28. Ageev O.A., Balakirev S.V., Bykov Al.V., Gusev E.Yu., Fedotov A.A., Jityaeva J.Y., Il'in O.I., Il'ina M.V., Kolomiytsev A.S., Konoplev B.G., Krasnoborodko S.U., Polyakov V.V., Smirnov V.A., Solodovnik M.S., Zamburg E.G. Development of new metamaterials for advanced element base of micro- and nanoelectronics, and microsystem devices. Chapter In: Advanced Materials --- Manufacturing, Physics, Mechanics and Applications. Ed. by I.A. Parinov, Sh.-H. Chang, V.Yu. Topolov. Switzerland: Springer International Publishing, 2016. P. 563--580
  29. Агеев О.А., Ильин О.И., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А.] // Рос. нанотехнологии. 2012. Т. 7. N 1--2. С. 54--59. [ Ageev O.A., Il'in O.I., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Rubashkina M.V., Smirnov V.A., Fedotov A.A. // Nanotechnol. Russ. 2012. Vol. 7. N 1--2. P. 47--53.]
  30. Maultzsch J., Reich S., Thomsen C. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 233402
  31. Saito R., Hofmann M., Dresselhaus G., Jorio A., Dresselhaus M.S. // Advanc. Phys. 2011. Vol. 60. N 3. P. 413--550
  32. Коноплев Б.Г., Агеев О.А., Смирнов В.А., Коломийцев А.С., Сербу Н.И. // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. N 1. С. 47--56. [ Konoplev B.G., Ageev O.A., Smirnov V.A., Kolomiitsev A.S., Serbu N.I. // Russian Microelectronics. 2012. Vol. 41. N 1. P. 41--50.]
  33. Liu L., Cao G., Chen X. // J. Nanomater. 2008. Vol. 2008. P. 271763

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme