"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Неравномерная упругая деформация и мемристорный эффект в ориентированных углеродных нанотрубках
Переводная версия: 10.1134/S1063784218110129
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м, 16-29-14023
Южный Федеральный Университет (внутренний грант), ВнГр-07/2017-26
Ильина М.В. 1, Ильин О.И. 1, Блинов Ю.Ф. 1, Смирнов В.А. 1, Агеев О.А. 1
1Южный федеральный университет, НОЦ "Нанотехнологии", Таганрог, Россия
Email: mailina@sfedu.ru, oiilin@sfedu.ru, blinovyf@sfedu.ru, vasmirnov@sfedu.ru, ageev@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Представлены результаты моделирования упругой деформации ориентированной углеродной нанотрубки под действием локального внешнего электрического поля. Разработана методика формирования контролируемой неравномерной упругой деформации в вертикально ориентированной углеродной нанотрубке, которая является необходимым условием для проявления воспроизводимого мемристорного эффекта в нанотрубке. Проведены экспериментальные исследования токопрохождения в упруго деформированных углеродных нанотрубках с аспектным отношением от 20 до 30. Показано, что увеличение значения относительной деформации нанотрубки от 0.02 до 0.07% вызывает увеличение ее сопротивления в высокоомном состоянии в 5.2 раза за счет роста внутреннего электрического поля, что приводит к усилению мемристорного эффекта в ней.
  • Meena J.S., Sze S.M., Chand U., Tseng T.-Y. // Nanoscale Res. Lett. 2014. Vol. 9. N 1. P. 1--33
  • Zhu J.G. // Proc. IEEE. 2008. Vol. 96. P. 1786--1798
  • Raoux S., Burr G.W., Breitwisch M.J., Rettner C.T., Chen Y.-Ch., Shelby R.M., Salinga M., Krebs D., Chen Sh.-H., Lung H.-L., Lam Ch.H. // IBM J. Res. Dev. 2008. Vol. 52. N 4/5. P. 465--479
  • Akinaga H., Shima H. // Proc. IEEE. 2010. Vol. 98. N 12. P. 2237--2251
  • Chua L.O. // Proc. IEEE. 2003. Vol. 91. N 11. P. 1830--1859
  • Yang J.J., Strukov D.B., Stewart D.R. // Nature Nanotech. 2013. Vol. 8. P. 13--24
  • Chua L.O. // Appl. Phys. A. 2011. Vol. 102. P. 765--783
  • Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. Vol. 453. P. 80--83
  • Rueckes T., Kim K., Joselevich E., Tseng G.Y., Cheung C.-L., Lieber C.M. // Science. 2000. Vol. 289. N 7. P. 94--97
  • Ren Z., Lan Y., Wang Y. Aligned Carbon Nanotubes: Physics, Concepts, Fabrication and Devices. NanoScience and Technology. Berlin: Springer, 2013. 299 p
  • Il'ina M.V., Il'in O.I., Blinov Yu.F., Smirnov V.A., Kolomiytsev A.S., Fedotov A.A., Konoplev B.G., Ageev O.A. // Carbon. 2017. Vol. 123. P. 514--524
  • Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Ильин О.И., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А. // ФТТ. 2015. N 4. С. 807--813. [ Ageev O.A., Blinov Yu.F., Il'in O.I., Konoplev B.G., Rubashkina M.V., Smirnov V.A., Fedotov A.A. // Phys. Sol. Stat. 2015. Vol. 57. N 4. P. 825--831]
  • Bartolomeo A.D., Scarfato A., Giubileo F., Bobba F., Biasiucci M., Cucolo A.M., Santucci S., Passacantando M. // Carbon. 2007. Vol. 45. P. 2957--2971
  • Gorodetskiy D.V., Gusel'nikov A.V., Shevchenko S.N., Kanygin M.A., Okotrub A.V., Pershin Y.V. // J. Nanophotonics. 2016. Vol. 10. N 1. P. 012524
  • Zuo Y., Ren Y., Wang Z., Han X., Xi L. // Organic Electronics. 2013. Vol. 14. P. 2306--2314
  • Parveen Sh., Husain S., Kumar A., Ali J., Husain H., Husain M. // ISRN Nanomaterials. 2012. V. 2012. N. 971854. P. 1?5
  • Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Ильин О.И., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 12. С. 128--133. [ Ageev O.A., Blinov Yu.F., Il'in O.I., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Rubashkina M.V., Smirnov V.A., Fedotov A.A. // Tech. Phys. 2013. Vol. 58. N 12. P. 1831--1836.]
  • Liu B., Jiang H., Johnson H.T., Huang Y. // J. Mech Phys. Sol. 2004. Vol. 52. P. 1--26
  • Nakayama Y., Nagataki A., Suekane O., Cai X., Akita S. // Jpn. J. Appl. Phys. 2005. Vol. 44. N 23. P. 720--722
  • Zelisko M.A., Hanlumyuang Y.B., Yang S.C., Liu Y.D., Lei C.D., Li J.D., Ajayan P.M.C., Sharma P. // Nat. Commun. 2014. Vol. 5. P. 1--7
  • Chandratre S., Sharma P. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100. P. 023114
  • Maranganti R., Sharma N.D., Sharma P. // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 74. P. 014110
  • Lu W., Wang D., Chen L. // Nano Lett. 2007. Vol. 7. N 9. P. 2729--2733
  • Kozinsky B., Marzari N. // Phys. Rev. Let. 2006. Vol. 96. P. 166801
  • Mayer A. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. P. 235333
  • Dietzel D., Marsaudon S., Aime J.P., Nguyen C.V., Couturier G. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 035445
  • Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Ильина М.В., Ильин О.И., Смирнов В.А., Цуканова О.Г. // ФТТ. 2016. N 2. С. 301--306. [ Ageev O.A., Blinov Yu.F., Il'ina M.V., Il'in O.I., Smirnov V.A., Tsukanova O.G. // Phys. Sol. Stat. 2016. Vol. 58. N 2. P. 309--314.]
  • Ageev O.A., Balakirev S.V., Bykov Al.V., Gusev E.Yu., Fedotov A.A., Jityaeva J.Y., Il'in O.I., Il'ina M.V., Kolomiytsev A.S., Konoplev B.G., Krasnoborodko S.U., Polyakov V.V., Smirnov V.A., Solodovnik M.S., Zamburg E.G. Development of new metamaterials for advanced element base of micro- and nanoelectronics, and microsystem devices. Chapter In: Advanced Materials --- Manufacturing, Physics, Mechanics and Applications. Ed. by I.A. Parinov, Sh.-H. Chang, V.Yu. Topolov. Switzerland: Springer International Publishing, 2016. P. 563--580
  • Агеев О.А., Ильин О.И., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А.] // Рос. нанотехнологии. 2012. Т. 7. N 1--2. С. 54--59. [ Ageev O.A., Il'in O.I., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Rubashkina M.V., Smirnov V.A., Fedotov A.A. // Nanotechnol. Russ. 2012. Vol. 7. N 1--2. P. 47--53.]
  • Maultzsch J., Reich S., Thomsen C. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 233402
  • Saito R., Hofmann M., Dresselhaus G., Jorio A., Dresselhaus M.S. // Advanc. Phys. 2011. Vol. 60. N 3. P. 413--550
  • Коноплев Б.Г., Агеев О.А., Смирнов В.А., Коломийцев А.С., Сербу Н.И. // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. N 1. С. 47--56. [ Konoplev B.G., Ageev O.A., Smirnov V.A., Kolomiitsev A.S., Serbu N.I. // Russian Microelectronics. 2012. Vol. 41. N 1. P. 41--50.]
  • Liu L., Cao G., Chen X. // J. Nanomater. 2008. Vol. 2008. P. 271763
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.