"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства пленочных нанокомпозитов на основе аморфного гидрогенизированного углерода
Переводная версия: 10.1134/S1063784218110208
Николайчук Г.А. 1, Мороз О.Ю. 1, Дунаевский С.М. 2
1Акционерное общество «Научно-исследовательский институт «Феррит-Домен»,196084 Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
Email: morozoy@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Представлены результаты исследований электрических свойств пленок аморфного гидрогенизированного углерода с наночастицами никеля a-C:H(Ni) на подложках из ситалла. Синтез пленок проведен методом реактивного ионно-плазменного магнетронного напыления. Приведены результаты исследований влияния концентрации никеля (Ni) на величину проводимости (sigma) при постоянном токе и значения комплексной диэлектрической проницаемости (varepsilon*) в диапазоне частот 8-12 GHz. Значение действительной части комплексной диэлектрической проницаемости (varepsilon') образцов достигало 100, мнимой части (varepsilon'') --- 212. Концентрация никеля в пленках, соответствующая порогу протекания, составляла 22-25 at.%.
  • Robertson J. // Mater. Sci. Engineer. R: Rep. 2002. Vol. 4. N 37. P. 129--281
  • Koidl P., Wild C., Dischler B., Wagner J., Ramsteiner M. // Mater. Sci. Forum. 1990. Vol. 52. P. 41--70. DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.52-53.41
  • Zou J.W., Reichelt K., Schmidt K., Dischler B. // J. Appl. Phys.1989. Vol. 65. N 10. P. 3914--3918. DOI: 10.1063/1.343355
  • Kaplan S., Jansen F., Machonkin M. // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 47. N 7. P. 750--753. DOI: 10.1063/1.96027
  • Grill A., Meyerson B.S., Patel V.V., Reimer A., Petrich M.A. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. N 8. P. 2874--2877. DOI: 10.1063/1.337883
  • Иванов-Омский В.И., Толмачев А.В., Ястребов С.Г. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 2. С. 227--232. [ Ivanov-Omskii V.I., Tolmatchev A.V., Yastrebov S.G. // Semiconductors. 2001. Vol. 35. N 2. P. 220--225. DOI: 10.1134/1.1349936]
  • Jager C., Gottwald J., Spiess H.W., Newport R.J. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50. N 2. P. 846--852. DOI: 10.1103/PhysRevB.50.846
  • Robertson J., O'Reilly E.P. // Phys. Rev. B. 1987. Vol. 35. N 6. P. 2946--2957. DOI: 10.1103/PhysRevB.35.2946
  • Васин A.B., Матвеева Л.А., Куцай A.M. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 24. С. 83--87. [ Vasin A.V., Matveeva L.A., Kutsai A.M. // Tech. Phys. Lett. 1999. Vol. 25. N 12. P. 1006--1007. DOI: 10.1134/1.1262714]
  • Khurshudov A., Kato K., Daisuke S. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1996. Vol. 14. N 5. P. 2935--2939. DOI: 10.1116/1.580247
  • Wei Q., Narayan R.J., Sharma A.K., Sankar J., Narayan J. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. Vol. 17. N 6. P. 3406--3414. DOI: 10.1116/1.582074
  • Dimigen H., Klages C.P. // Surf. Coat. Technol. 1991. Vol. 49. N 1--3. P. 543--547. DOI: 10.1016/0257-8972(91)90114-C
  • He X.M., Hakovirta M., Nastasi M. // Mater. Lett. 2005. Vol. 59. N 11. P. 1417--1421. DOI: 10.1016/j.matlet.2004.11.059
  • Damasceno J.C., Camargo S.S., Freire F.L., Carius R. // Surf. Coat. Technol. 2000. Vol. 133--134. P. 247--252. DOI: 10.1016/S0257-8972(00)00932-4
  • Gampp R., Gantenbein P., Kuster Y., Reimann P., Steiner R., Oelhafen P., Brunold S., Frei U., Gombert A., Joerger R., Graf W., Koehl M. // Opt. Mater. Technol. Energy Efficiency and Solar Energy Conversion XIII. International Society for Optics and Photonics. 1994. Vol. 2255. P. 92--107. DOI: 10.1117/12.185360
  • Donnet C., Fontaine J., Grill A., Patel V., Jahnes C., Belin M. // Surf. Coat. Technol. 1997. Vol. 94--95. P. 531--536. DOI: 10.1016/S0257-8972(97)00462-3
  • Grischke M., Bewilogua K., Trojan K., Dimigen H. // Surf. Coat. Technol. 1996. Vol. 74--75. P. 739--745. DOI: 10.1016/0257-8972(94)08201-4
  • Wei Q., Sankar J., Narayan J. // Surf. Coat. Technol. 2001. Vol. 146--147. P. 250--257. DOI: 10.1016/S0257-8972(01)01394-9
  • Луцев Л.В., Звонарева Т.К., Лебедев В.М. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 15. С. 84--89. [ Lutsev L.V., Zvonareva T.K., Lebedev V.M. // Tech. Phys. Lett. 2001. Vol. 27. N 8. P 659--661. DOI: 10.1134/1.1398960]
  • Луцев Л.В., Яковлев С.В., Сиклицкий В.И. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 6. С. 1105--1112. [ Lutsev L.V., Yakovlev S.V., Siklitskii V.I. // Phys. Sol. Stat. Vol. 42. N 6. P 1139--1146. DOI: 10.1134/1.1131330]
  • Мороз О.Ю., Наквасина Е.Ю. // Сб. трудов XII Всероссийской школы-семинара "Волновые явления в неоднородных средах". 2010. Т. 7. С. 57--60
  • Nikolaychuk G.A., Yakovlev S.V., Moroz O.Y., Nakvasina E.Y. // ICEEE --- 2010 13th Int. Conf. on Electromechanics, Electrotechnology, Electromaterials and Components. 2010. Vol. 4. P. 46--49
  • Николайчук Г.А., Яковлев С.В., Луцев Л.В., Петров В.В., Мороз О.Ю., Цветковa Е.А. // 18-я Междунар. Крымская конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии". 2008. С. 8--12. [ Nikolaychuk G.A., Yakovlev S.V., Lutsev L.V., Petrov V.V., Moroz O.Y., Tsvetkova E.A. // 18th Int. Crimean Conf. --- Microwave \& Telecommunication Technology. 2008. P. 579--580. DOI: 10.1109/CRMICO.2008.4676511]
  • Эфрос А.Л. Физика и геометрия беспорядка. М.: Наука, 1982. 176 c
  • Смирнов В.И. Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Уч. пособие. Ульяновск: УлГТУ, 2012. 75 с
  • Baker-Jarvis J. Transmission/reflection and short-circuit line permittivity measurements. Colorado: National Institute of Standards and Technology, 1990. 151 p
  • Nicholson A.M., Ross G.F. // IEEE Trans. Instrum. Meas. 1970. Vol. 4. N 4. P. 377--182. DOI: 10.1109/TIM.1970.4313932
  • Weir W.B. // Proc. IEEE. 1974. Vol. 62. N 1. P. 33--36. DOI: 10.1109/PROC.1974.9382
  • Bartley P.G., Begley S.B. // Instrumentation and Measurement Technology Conference (I2MTC). 2010. P. 54--57. DOI: 10.1109/IMTC.2010.5488184
  • Ковалев И.С. Конструирование и расчет полосковых устройств. М.: Сов. радио, 1974. 295 с
  • Jonscher A.K. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. Vol. 32. N 14. P. R57. DOI: 10.1088/0022-3727/32/14/201
  • Иванов-Омский В.И., Фролова Г.С. // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 9. С. 186--189. [ Ivanov-Omskii V.I., Frolova G.S. // J. Tech. Phys. 1995. Vol. 40. N 9. P. 966--967]
  • Hallouet B., Wetzel B., Pelster R. // J. Nanomaterials. 2007. Vol. 2007. P. 34527. DOI: 10.1155/2007/34527
  • Pelster R., Simon U. // Colloid Polym Sci. 1999. Vol. 227. N 1. P. 2--14. DOI: 10.1007/s003960050
  • Anton R. // Carbon. 2008. Vol. 46. N 4. P. 656--662. DOI: 10.1016/j.carbon.2008.01.021
  • Du Y., Xu M., Wu J., Shi Y., Lu H. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70. N 10. P. 5903--5905. DOI: 10.1063/1.3501
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.