Вышедшие номера
Структура и свойства самоорганизованных 2D- и 3D-композитов сурьма/углерод
Переводная версия: 10.1134/S1063784218070216
Куликова Т.В.1, Тучин А.В.1, Аверин А.А.2, Тестов Д.А.1, Битюцкая Л.А.1, Бормонтов Е.Н.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
Email: kaimt@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Рассмотрены условия формирования композитов сурьма/углерод посредством межслоевой самосборки из коллоидных растворов и расплавов, проведена их морфологическая и структурная характеризация. Показана возможность формирования композитов различных морфологий: 2D - многослойная структура графена с субмикронными включениями сурьмы и 3D - сфероидальная оболочечная структура с деформированной пленкой-оболочкой с нановключениями углерода. Показано различие свойств композитов: 2D - проводящий композит, 3D - обладает нелинейной вольт-амперной характеристикой, свидетельствующей о возникновении новых функциональных свойств сфероидального композита сурьма/углерод. Предложена модель расслоения слоистого прекурсора с ковалентным типом межслоевого взаимодействия, объясняющая наблюдаемые экспериментально нелинейные гидродинамические процессы в коллоидном растворе сурьмы.
  1. Peng Fei Zhang, Zheng Liu, Wenhui Duan, Feng Liu, Jian Wu. // Phys. Rev. B. 2012. Vol. 85. P. 201410(R). doi: 10.1103/PhysRevB.85.201410
  2. Uzengi Akturk O., Ongun Ozcelik V., Ciraci S. // Phys. Rev. B. 2015. Vol. 91. P. 235446. doi: 10.1103/PhysRevB.91.235446
  3. Yuanfeng Xu, Bo Peng, Hao Zhang, Hezhu Shao, Rongjun Zhang, Hongliang Lu, David Wei Zhang, Heyuan Zhu. // Ann. Phys. (Berlin). 2017. P. 1600152. doi: 10.1002/andp.201600152
  4. Chengxue Huo, Xingming Sun, Zhong Yan, Xiufeng Song, Shengli Zhang, Zheng Xie, Ji-Zi Liu, Jianping Ji, Lianfu Jiang, Shuyun Zhou, Haibo Zeng. J. // Am. Chem. Soc. 2017. Vol. 139. N 9. P. 3568. doi: 10.1021/jacs.6b08698
  5. Ares P., Aguilar-Galindo F., Rodriguez-San-Miguel D., Aldave D.A., Sergio Diaz-Tendero, Alcami M., Martin F., Gomez-Herrero J., Zamora F. // Adv. Mater. 2016. Vol. 28. N 30. P. 6332--6336. doi: 10.1002/adma.201602128
  6. Shengli Zhang, Zhong Yan, Yafei Li, Zhongfang Chen, Haibo Zeng. // Angew. Chem. Int. Ed. 2015. Vol. 54. N 10. 3112--3115 (2015). doi: 10.1002/anie.201411246
  7. Mingwen Zhao, Xiaoming Zhang, Linyang Li. // Scientific Reports. 2015. Vol. 5. P. 16108. doi: 10.1038/srep16108
  8. Jinghua Liang, Long Cheng, Jie Zhang, Huijun Liu. 2015. arXiv:1502.01610
  9. Куликова Т.В., Битюцкая Л.А. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2016. T. 18. N 1. С. 61--66
  10. Куликова Т.В., Битюцкая Л.А., Тучин А.В., Аверин А.А. // Перспективные материалы. 2017. Т. 3. С. 5--13
  11. Jiangfeng Qian, Yao Chen, Lin Wu, Yuliang Cao, Xinping Ai, Hanxi Yang. // Chem. Commun. 2012. Vol. 48. P. 7070--7072. doi: 10.1039/C2CC32730A
  12. Nithya C., Gopukumar S. // J. Mater. Chem. A. 2014. Vol. 2. P. 10516--10525. doi: 10.1039/C4TA01324G
  13. Zhu Y., Han X., Xu Y., Liu Y., Zheng S., Xu K., Hu L., Wang C. // ACS Nano. 2013. Vol. 7. N 7. P. 6378--6386. doi: 10.1021/nn4025674
  14. Wu L., Hu X., Qian J., Pei F., Wu F., Mao R., Ai X., Yang H., Cao Y. // Energy Environ. Sci. 2014. Vol. 7. P. 323--328. doi: 10.1039/C3EE42944J
  15. Zhou X., Zhong Y., Yang M., Hu M., Wei J., Zhou Z. // Chem. Commun. 2014. Vol. 50. P. 12888--12891. doi: 10.1039/C4CC05989A
  16. Hou H., Jing M., Yang Y., Zhu Y., Fang L., Song W., Pan C., Yang X., Ji X. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2014. Vol. 6. N 18. P. 16189--16196. doi: 10.1021/am504310k
  17. He M., Kravchyk K., Walter M., Kovalenko M.V. // Nano Lett. 2014. Vol. 14. N 3. P. 1255--1262. doi: 10.1021/nl404165c
  18. Zhou X., Dai Z., Bao J., Guo Y.-G. // J. Mater. Chem. A. 2013. Vol. 1. P. 13727--13731. doi: 10.1039/C3TA13438E
  19. Luo W., Lorger S., Wang B., Bommier C., Ji X. // Chem. Commun. 2014. Vol. 50. P. 5435--5437. doi: 10.1039/C4CC01326C
  20. Wen Luo, Pengfei Zhang, Xuanpeng Wang, Qidong Li, Yifan Dong, Jingchen Hua, Liang Zhou, Liqiang Mai // J. Power Sources. 2016. Vol. 304. P. 340e345. doi: 10.1016/j.jpowsour.2015.11.047
  21. Fang Wan, Jin-Zhi Guo, Xiao-Hua Zhang, Jing-Ping Zhang, Hai-Zhu Sun, Qingyu Yan, Dong-Xue Han, Li Niu, Xing-Long Wu // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2016. Vol. 8. N 12. P. 7790--7799. doi: 10.1021/acsami.5b12242
  22. Thrinathreddy Ramireddy, Md Mokhlesur Rahman, Tan Xing, Ying Chen, Glushenkov A.M. // J. Mater. Chem. A. 2014. Vol. 2. P. 4282--4291. doi: 10.1039/c3ta14643j
  23. Ning Zhang, Yongchang Liu, Yanying Lu, Xiaopeng Han, Fangyi Cheng, Jun Chen // Nano Res. 2015. Vol. 8. P. 3384. doi: 10.1007/s12274-015-0838-3
  24. Carlos Gibaja, David Rodriguez-San-Miguel, Pablo Ares, Julio Gomez-Herrero, Maria Varela, Roland Gillen, Janina Maultzsch, Frank Hauke, Andreas Hirsch, Gonzalo Abellan, Felix Zamora // Angew. Chem. Int. Ed. 2016. Vol. 55. N 46. P. 14345--14349. doi: 10.1002/anie.201605298
  25. Мельников С.М., Розловский А.А., Шуклин А.М. и др. Сурьма. Металлургия, 1977. 536 с
  26. Adarsh Kaniyoor, Sundara Ramaprabhu // AIP Advances. 2012. Vol. 2. P. 032183. doi: 10.1063/1.4756995
  27. Hailong Lv, Song Qiu, Guixia Lu, Ya Fu, Xiaoyu Li, Chenxi Hu, Jiurong Liu // Electrochimica Acta. 2015. Vol. 151. P. 214--221. doi: 10.1016/j.electacta.2014.11.013
  28. Schwan J., Ulrich S., Batori V., Ehrhardt H. // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. N 1. P. 440. doi: 10.1063/1.362745
  29. Shroder R., Nemanich R., Glass J. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41. N 6. P. 3738. doi: 10.1103/PhysRevB.41.3738
  30. Malard L.M., Pimenta M.A., Dresselhaus G., Dresselhaus M.S. // Phys. Rep. 2009. Vol. 473. N 5--6. P. 51. doi: 10.1016/j.physrep.2009.02.003
  31. Ferrari A.C., Meyer J.C., Scardaci V., Casiraghi C., Lazzeri M., Mauri F., Piscanec S., Jiang D., Novoselov K.S., Roth S., Geim A.K. // Phys. Rev. Lett. 2006. Vol. 97. N 18. P. 187401. doi: 10.1103/PhysRevLett.97.187401
  32. Cancado L.G., Jorio A., Ferreira E.H.M., Stavale F., Achete C.A., Capaz R.B., Moutinho M.V.O., Lombardo A., Kulmala T.S., Ferrari A.C. // Nano Lett. 2011. Vol. 11. N 8. P. 3190--3196. doi: 10.1021/nl201432g
  33. Su C.Y., Xu Y., Zhang W., Zhao J., Tang X., Tsai C.H., Li L.J. // Chem. Mater. 2009. Vol. 21. N 23. P. 5674--5680. doi: 10.1021/cm902182y
  34. Ferreira E.H.M., Moutinho M.V.O., Stavale F., Lucchese M.M., Capaz R.B., Achete C.A., Jorio A. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 82. N 12. P. 125429. doi: 10.1103/PhysRevB.82.125429
  35. Kawashima Y., Katagiri G. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 52. N 14. P. 10053. doi: 10.1103/PhysRevB.52.10053
  36. Kudin K.N., Bulent Ozbas, Schniepp H.C., Prud'homme R.K., Aksay I.A., Car R. // Nano Lett. 2008. Vol. 8. N 1. P. 36--41. doi: 10.1021/nl071822y
  37. Tong-Ye Li, Hong-Wang Zhao, Liang Dong, Na Guo, Yu Wang // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. Vol. 42. P. 035401. doi: 10.1088/0022-3727/42/3/035401
  38. Suresh C. Pillai, John M. Kelly, Declan E. McCormack, Raghavendra Ramesh. // J. Mater. Chem. 2008. Vol. 18. P. 3926--3932. doi: 10.1039/b804793f
  39. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. СПб.: Изд-во Лань, 2001. 480 с
  40. Wei Li, Yuheng He, Lin Wang, Guohui Ding, Zhao-Qing Zhang, Rolf W. Lortz, Ping Sheng, Ning Wang // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 84. P. 045431. doi: 10.1103/PhysRevB.84.045431
  41. Horng-Chih Lin, Cheng-Hsiung Hung, Wei-Chen Chen, Zer-Ming Lin, Hsing-Hui Hsu, Tiao-Yuang Hunag // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. P. 054502. doi: 10.1063/1.3086271

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.