Вышедшие номера
Создание совмещенной технологии спин-вентильных магниторезистивных элементов и микромагнитов
Переводная версия: 10.1134/S1063784218060038
Амеличев В.В.1,2, Беляков П.А.1,2, Костюк Д.В.1,2, Васильев Д.В.1,2, Орлов Е.П.1,2, Казаков Ю.В.2, Касаткин С.И.3, Крикунов А.И.
1Научно-производственное предприятие "Технология", Зеленоград, Москва, Россия
2Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ, Зеленоград, Москва, Россия
3Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН, Москва, Россия
Email: goodnessgims@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Представлены результаты исследования технологии создания магниторезистивных (МР) элементов на основе многослойных спин-вентильных МР (СВМР) Ta-FeNiCo-CoFe-Cu-CoFe-FeNiCo-FeMn-Ta-наноструктур и CoNi-микромагнитов для построения цифровых гальванических развязок и преобразователей магнитного поля. Представлены результаты экспериментальных исследований тестовых элементов на основе многослойных СВМР наноструктур с МР эффектом 7-8% и пленки из магнитотвердого материала с коэрцитивной силой до 95 Oe, сформированных на одном кристалле.