Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2018, выпуск 1 » Статья стр. 98
<<<>>>
Влияние материала металлического подслоя и геометрии осаждения на формирование текстуры в пьезоактивных пленках ZnO
DOI: 10.21883/JTF.2018.01.45490.2341
Переводная версия: 10.1134/S1063784218010279
Веселов А.Г.1, Елманов В.И.1, Кирясова О.А.1, Никулин Ю.В.1,2
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: labsftwo@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
PDF версия
Исследовано влияние материала металлического подслоя (алюминий, ванадий, хром, железо, кобальт, никель, медь) и геометрии осаждения на формирование наклонной и прямой текстуры в пленках ZnO, синтезируемых в магнетронной распылительной системе на постоянном токе. Установлено, что пьезоактивные пленки ZnO с наклонной текстурой, способные возбуждать сдвиговые волны, формируются на металлических подслоях Cr и V в сдвиговой геометрии осаждения (подложка смещена относительно оси магнетрона в область эрозии мишени). Пьезоактивные пленки ZnO с прямой текстурой, способные возбуждать продольные волны, сформированы в симметричной геометрии осаждения (подложка расположена по центру мишени) на химически чистом Al подслое. Изменение материала подслоя для каждой из геометрий осаждения или предварительное окисление подслоя привело к формированию пьезоактивных пленок ZnO со смешанной текстурой, возбуждающих сетку сдвиговых и продольных волн. С использованием метода химического травления показано, что получаемые пленки ZnO с наклонной текстурой проявляют пьезоактивные свойства и способны возбуждать гиперзвук начиная с толщины ~0.3 mum, а пленки ZnO с прямой текстурой с толщины ~0.9 mum. DOI: 10.21883/JTF.2018.01.45490.2341
  1. Алексеев С.Г., Гуляев Ю.В., Котелянский И.М., Мансфельд Г.Д. // УФН. 2005. Т. 175. N 8. C. 895--900
  2. Corso C.D., Dickherber A., Hunt W.D. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. P. 054514--1--054514--7
  3. Yoshino Y. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. P. 061623--1--061623--7
  4. Qin L., Chen Q., Cheng H., Chen Q., Li J.-F., Wang Q.-M. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. P. 094511--1--094511--11
  5. Prasad M., Sahula V., Vinod Kumar K.V. // IEEE Trans. on Device Mater. Reliability. 2014. Vol. 14. N 1. P.545--554
  6. Hickernell F.S. // ТИИЭР. 1976. Т. 64. N 5. C. 70--76
  7. Nalamwar A.L., Wagers R.S., Epstein M. // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. N 6. P. 2175--2178
  8. Веселов А.Г., Елманов В.И., Кирясова О.А., Никулин Ю.В. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 3. С. 448--452
  9. Krupanidhi S.B., Sayer M. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 56. N 11. P. 3308--3318
  10. Yan Z., Zhou X.Y., Pang G.K.H., Zhang T., Liu W.L., Cheng J.G., Song Z.T., Feng S.L., Lai L.H., Chen J.Z., Wang Y. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 143503--1--143503--3
  11. Yanagitani T., Mishima N., Matsukawa M., Watanabe Y. // IEEE. Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. 2007. Vol. 54. N 4. P. 701--704
  12. Lehmann H.W., Widmer R. // J. Appl. Phys. 1973. Vol. 44. N 9. P. 3868--3879
  13. Веселов А.А., Веселов А.Г. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 13. С. 83--87
  14. Бурылин Е.И., Веселов А.А., Веселов А.Г., Джумалиев А.С., Иванов С.Н., Кирясова О.А. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 7. С. 31--34
  15. Бурылин Е.И., Веселов А.Г., Джумалиев А.С., Елманов В.И., Истомин С.Н., Кирясова О.А., Пушкарева Т.А., Рябушкин С.Л. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 5. С. 130--132
  16. Rughoobur G., DeMiguel-Ramos M., Mirea T., Clement M., Olivares J., Diaz-Duran B., Sangrador J., Miele I., Milne W.I., Iborra E., Flewitt A.J. // Appl. Phys. Lett. 2016. Vol. 108. P. 034103--1--034103--5
  17. Yanagitani T., Kiuch M. // IEEE Ultrasonics Symposium. 2007. P. 1413--1416
  18. Serhane R., Khales H. // IEEE Joint UFFC, EFTF and PFM Symposium. 2013. P. 275--278
  19. Hillman G.D., Seguin H.J.J. // J. Appl. Phys. 1973. Vol. 44. N 11. P. 5053--5055
  20. Kushida K., Takeuchi H. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 56. N 4. P. 1133--1135
  21. Takayanagi S., Yanagitami T., Matsukawa M., Watanabi Y. // IEEE International Ultrasinic Symposium Proceedings. 2011. P. 2317--2320
  22. Александров В.А., Веселов А.Г., Кирясова О.А., Сердобинцев А.А. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. Вып. 18. С. 41--44
  23. Tampo H., Fons P., Yamada A., Kim K.-K., Shibata H., Matsubara K., Niki S., Yoshikawa H., Kanie H. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 87. P. 141904--1--141904--3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme