Влияние низкотемпературного надбарьерного слоя GaN на концентрацию электронов в гетероструктуре AlGaN/GaN
Андреев A.A.
1, Вавилова E.A.
1, Езубченко И.С.
1, Занавескин М.Л.
1, Майборода И.О.
11Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: alan.andreev@gmail.com, eugenia.vavilova@gmail.com, ezivan9@gmail.com, zanaveskin.maxim@gmail.com, mrlbr@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.
Было изучено влияние низкотемпературных пассивирующих слоев GaN на электрофизические характеристики двумерного электронного газа (ДЭГ) в гетероструктурах для транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Установлено, что тонкие слои GaN, осажденные in situ при температуре 550oC, не проявляют полярных свойств и не меняют концентрацию носителей в ДЭГ. При этом аналогичные слои GaN, осажденные при 830oC, снижают концентрацию носителей в ДЭГ в соответствии с теоретическими расчетами. С помощью дифракции быстрых отраженных электронов установлено, что данный эффект может быть обусловлен различием в структуре и морфологии пленок GaN, осаждаемых при различных температурах. DOI: 10.21883/JTF.2017.08.44742.2152
- Nanjo T., Imai A., Suzuki Y., Abe Y., Oishi T., Suita M., Yagyu E., Tokuda Y. // IEEE Trans. Electr. Dev. 2013. Vol. 60. N 3. P. 1046
- Chung J.W. et al. // IEEE Electr. Dev. Lett. 2010. Vol. 31. N 3. P. 195
- Vetury R., Zhang N.Q., Keller S., Mishra U.K. // IEEE Trans. Electr. Dev. 2001. Vol. 48. N 3. P. 560
- Ohno Y., Nakao T., Kishimoto S., Maezawa K., Mizutani T. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. N 12. P. 2184
- Tan W.S., Houston P.A., Parbrook P.J., Wood D.A., Hill G., Whitehouse C.R. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. N 17. P. 3207
- Arulkumaran S., Egawa T., Ishikawa H., Jimbo T., Sano Y. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. P. 613
- Wang C., Cho S.-J., Kim N.-Y. // Microelectronic Engineer. 2013. Vol. 109. P. 24
- Kim D.H., Kumar V., Chen G., Dabiran A.M., Wowchak A.M., Osinsky A., Adesida I. // Electron. Lett. 2007. Vol. 43. N 2. P. 127
- Sheng Z., Ke W., Le Y., Guo-Guo L., Sen H., Xin-Hua W., Lei P., Ying-Kui Z., Yan-Kui L., Xiao-Hua M., Bing S., Xin-Yu L. // Chin. Phys. B. 2015. Vol. 24. N 11. P. 117307
- Ambacher O., Foutz B., Smart J., Shealy J.R., Weimann N.G., Chu K., Murphy M., Sierakowski A.J., Schaff W.J., Eastman L.F., Dimitrov R., Mitchell A., Stutzmann M. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. P. 334
- Waki E., Deguchi T., Nakagawa A., Egawa T. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 92. P. 103507
- Андреев А.А., Грищенко Ю.В., Езубченко И.С., Занавескин М.Л., Майборода И.О., Рудик М.А., Федоров Ю.В. // Журнал радиоэлектроники. 2015. Т. 1
- G. Snider // http://www3.nd.edu/ gsnider
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
