Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

DOI: 10.21883/JTF.2017.06.44514.1986

Бакаров А.К.^1,2, Гутаковский А.К. ¹, Журавлев К.С.^1,2, Ковчавцев А.П.¹, Торопов А.И.¹, Бурлаков И.Д.³, Болтарь К.О.³, Власов П.В.³, Лопухин А.А.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³АО НПО "Орион", Москва, Россия AO Research-and-Production Association “Orion”, Moscow, Russia

Email: gut@isp.nsc.ru, bakarov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии InSb слоев на подложках InSb. На основе выращенных слоев изготовлены матричные фотоприемные устройства (МФПУ) средневолнового инфракрасного диапазона. Проведено сравнение фотоэлектрических характеристик МФПУ на основе эпитаксиальных слоев и МФПУ, серийно выпускаемых с использованием монокристаллов InSb. DOI: 10.21883/JTF.2017.06.44514.1986

Rogalski A. Progr. Quant. Electron. 2012. Vol. 36. P. 342--473
www.scd.co.il SCD Semiconductor Devices. Israel
www.sbfp.com Lockheed Martin Corporation Santa Barbara Focalplane. USA
Weiguo Sun, Huitao Fan, Zhenyu Peng, Liang Zhang, Xiaolei Zhang, Lei Zhang, Zhengxiong Lu, Junjie Si, Emelyanov E., Putyato M., Semyagin B., Pchelyakov O., Preobrazhenskii V. // Inf. Phys. Technol. 2014. Vol. 62. P. 143
Комков О.С., Семенов А.Н., Фирсов Д.Д., Мельцер Б.Я., Соловьев А.А., Попова Т.В., Пихтин А.Н., Иванов С.В. // ФТП. 2011. Т. 45. C. 1481
Lien Tran T., Fariba Hatami, Ted Masselink W., Kunets Vas P., Salamo G.J. // J. Electron. Mater. 2008. Vol. 37. P. 1799
Michel E., Singh G., Slivken S., Besikci C., Bove P., Ferguson I., Razeghi M. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 65. P. 3338
Ting D.Z., Soibel A., Keo S.A., Rafol S.B., Mumolo J.M., Liu J.K., Hill C.J., Khoshakhlagh A., Hoglund L., Luiong E.M., Gunapala S.D. // J. Appl. Rem. Sens. 2014. Vol. 8. P. 084998-1
McConville C., Jones T., Leibsle F., Driver S., Noakes T., Schweitzer M., Richardson N. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50. P. 14965
Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Пономаренко В.П., Ранцан С.К., Фадеев В.В. // Прикладная физика. 2013. N 6. P. 67
Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Полунеев В.В., Рябова А.А. // Успехи прикладной физики. 2013. N 6. P. 733

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель