Вышедшие номера
Мощный полупроводниковый обостритель импульсов с субнаносекундным быстродействием
Грехов И.В.1, Люблинский А.Г.1, Юсупова Ш.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: grekhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Сверхбыстрое - субнаносекундное переключение высоковольтного диодного обострителя импульсов из блокирующего в проводящее состояние производится путем приложения к нему импульса перенапряжения со скоростью нарастания ~ 1012 V/s в блокирующем направлении. Образующийся при этом ударно-ионизационный фронт производит заполнение электронно-дырочной плазмой базовой области диода, переводя его в проводящее состояние. При этом принципиально важно предотвратить возможность пробоя по поверхности диодной структуры при перенапряжении. В работе представлены первые результаты исследования принципиально новой конструкции диодного обострителя импульсов, позволяющей полностью исключить деградацию краевого контура при импульсном перенапряжении. Проведенные эксперименты подтвердили работоспособность этой конструкции и перспективность работ по выяснению ее предельных возможностей. DOI: 10.21883/JTF.2017.05.44459.1993
  1. Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. Вып. 15. С. 950-953
  2. Grekhov I.V., Kardo-Sysoev A.F., Kostina L.S., Shenderey S.V. // Electron. Lett., 1981. Vol. 17. N 12. P. 422-423
  3. Benzel D., Pocha M. // Rev. Sci. Instrum. 1985 Vol. 56. N 7. P. 1456-1458
  4. Rodin P., Rodina A., Grekhov I. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. N 9. P. 094506(1-11)
  5. Davies R.L., Gentry F.E. // IEEE Tr. Electron Dev. 1964. Vol. 11. N 7. P. 313-323
  6. Пат. РФ N 2016101357/08 (001875). Полупроводниковый диодный субнаносекундный обостритель импульсов / И.В. Грехов, А.Г. Люблинский. 2016. БИ N 19

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.