Особенности влияния облучения ионами железа на развитие гелиевых, водородных и дейтериевых блистеров в кремнии
Дмитриев С.Н.1, Сохацкий А.С.1, Залужный А.Г.2, Реутов В.Ф.1
1Объединенный институт ядерных исследований им. Г.Н. Флерова, Дубна, Московская область, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: reutov@jinr.ru
Поступила в редакцию: 10 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
Исследовалось влияние облучения ионами железа на эволюцию газовой пористости в монокристаллах кремния. Газовая пористость создавалась имплантацией при комнатной температуре ионов водорода, дейтерия и гелия с энергиями 17, 12.5 и 20 keV соответственно одинаковыми дозами 1x1017 cm-2 при комнатной температуре. При таких энергиях бомбардирующих ионов профили ионного легирования формировались на одном расстоянии от облучаемой поверхности образца. После чего образцы облучались при комнатной температуре ионами железа Fe10+ с энергией 150 keV дозой 5.9· 1014 cm-2. Затем на воздухе проводились получасовые изохронные отжиги с интервалом 50oC в диапазоне температур от 250 до 900oC. Исследование образцов проводилось на оптическом и электронном микроскопах. Был обнаружен крайне сильный синергетический эффект влияния последовательного облучения ионами газов и ионами железа образцов монокристаллического кремния при комнатной температуре на зарождение и рост газовой пористости в процессе послерадиационного отжига. Так, было показано, что аморфный слой в кремнии, сформированный дополнительным облучением ионами железа, стимулирует развитие гелиевых блистеров, незначительно уменьшает развитие водородных блистеров и полностью подавляет развитие дейтериевых блистеров. Полученные результаты не позволяют в настоящий момент сформулировать сколько-нибудь адекватного объяснения причин такого различия, необходимы дополнительные целенаправленные эксперименты. DOI: 10.21883/JTF.2017.02.44129.1801
- Балагуров Л.А. // Материаловедение. 1998. Вып. 1. С. 50--56
- Балагуров Л.А. // Материаловедение. 1998. Вып. 3. С. 23--45
- Кашкаров П.К. // Соросовский образовательный журнал. 2001. N 1. С. 102--107
- Primak W., Dayal Y., Edwards E. // J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34. P. 827
- А.с. N 1282757.3012. Способы изготовления тонких пластин кремния / В.Ф. Реутов, Ш.Ш. Ибрагимов. 1983
- Patent USA. N 5 374 564. Process for the production of thin semiconductor material films / M. Bruel. 1995
- Bruel M. // Electron. Lett. 1995. Vol. 14. P. 1201--1202
- Henley F., Lamm A., Kang S., Liu Z, Tiam L. // Proc. of the 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conf. Munchen, 2008. P. 1090
- Myers S.M., Follstaedt D.M., Bishop D.M. // MRS Symp.Proc. 1994. Vol. 316. P. 53
- Myers S.M., Bishop D.M., Follstaedt D.M., Stein H.J., Wampler W.R. // MRS Symp. Proc. 1993. Vol. 283. P. 549
- Huang L.J., Tong Q.Y., Chao Y.I., Lee T.H., Martini T., Gosele U. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74. P. 982
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
