Вышедшие номера
Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для исследования объемных характеристик полупроводниковых материалов
Калинушкин В.П.1, Уваров О.В.1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: vkalin@kapella.gpi.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Hа примере кристаллов Zn-Se рассматриваются перспективы использования двухфотонной конфокальной микроскопии для создания "плоских" и "объемных карт" межзонной и примесной люминесценции в полупроводниковых материалах. Показана возможность формирования таких "карт" с шагом по глубине и пространственным разрешением по плоскости в несколько mum до расстояний от поверхности до 1 mm. C помощью этой методики выявлены люминесцентно-активные неоднородности в кристаллах и исследованы их структуры и люминесцентные характеристики. Обсуждены перспективы использования двухфотонной конфокальной микроскопии для исследования других прямозонных полупроводников и материалов 4-й группы.