"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование текстурированных пленок Ni(200) и Ni(111) методом магнетронного распыления
Джумалиев А.С., Никулин Ю.В., Филимонов Ю.А.1,2,3
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3Саратовский государственный технический университет им. Ю.А. Гагарина, Саратов, Россия
Email: yvnikulin@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

Исследовано влияние давления рабочего газа P~1.33-0.09 Pa и температуры подложки Ts~77-550 K на текстуру и микроструктуру пленок никеля, получаемых магнетронным распылением на подложках SiO2/Si. Показано, что при ростовых параметрах P~0.13-0.09 Pa и Ts~300-550 K, обеспечивающих высокую миграционную способность адатомов никеля на подложке, формируются пленки Ni(200) с переходным типом микроструктуры, для которого характерно изменение структуры от квазиоднородной к квазистолбчатой при достижении пленкой критической толщины. В условиях низкой миграционной способности, которая реализуется при P~1.33-0.3 Pa или за счет охлаждения подложки до Ts~77 K, формируются пленки Ni(111) со столбчатой микроструктурой и высокой пористостью.
  • Pauleau Y., Kukielka S., Gulbinski W. et al. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2006. Vol. 39. Р. 2803--2808
  • Pratibha L.G., Mitra R., Weertman J.R. // Pure Appl. Chem. 2002. Vol. 74. P. 1519--1526
  • Shimizu H., Suzuki E., Hoshi Y. // Electrochomica Acta. 1999. Vol. 44. P. 3933--3944
  • Hameed S., Talagala P., Naik R. // JMMM. 2002. Vol. 242--245. P. 1264--1266
  • Yi J.B., Zhou Y.Z., Ding Z.J. // JMMM. 2004. Vol. 284. P. 303--311
  • Geetha P.B., Aich S., Chakraborty M. // J. Mater Sci. 2011. Vol. 46. P. 2860--2873
  • Kohmoto O., Mineji N., Isagawa Y. // JMMM. 2002. Vol. 239. P. 36
  • В.В. Наумов, В.Ф. Бочкарев, О.С. Трушин и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 8. С. 92--97
  • Nacereddine C., Layadi A., Guittoum A. et al. // Materials Science and Engineering. B. 2007. Vol. 136. P. 197--202
  • Czerwinski F., Szpunar J.A. // Textures and Microstructures. 2000. Vol. 34. P. 197--204
  • Pavlova A.Y., Nikulin Y.V., Dzhumaliev A.S. et al. // Applied Surface Science. 2015. Vol. 347. P. 435--438
  • Takahashi K., Kazuki Y., Kato H., Hibino H. et al. // Surface Science. 2012. Vol. 606. P. 728--732
  • Джумалиев А.С., Никулин Ю.В., Филимонов Ю.А. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 7. С. 152--155
  • Koike J., Wada M., Sanada M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 1017--1019
  • Pan W., Shih Y.-T., Lee K. L. et al. // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 111. P. 07C113--3
  • Corredor E.C., Diez-Ferrer J.L., Coey D. et al. // Journ. of Phys. 2010. Vol. 200. P. 072019--4
  • Джумалиев А.С., Никулин Ю.В., Филимонов Ю.А. // Радиотехн. и электрон. 2012. Т. 57. N 5. С. 550--557
  • Walton D. // J. Chem. Phys. 1962. Vol. 37. P. 2182--2188
  • Futschek T., Hafner J., Marsman M. // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. Vol. 18. P. 9703--9748
  • Kuznetsov V.M., Kadyrov R.I., Rudenskii G.E. Jour. Mater. Sci. Technol. 1998. Vol. 14. P. 320--322
  • Thompson C.V. // Annu. Rev. Mater. Sci. 2000. Vol. 30. P. 159--190
  • Masumoto H., Saito H., Murakami Y. // Trans JIM. 1969. Vol. 10. P. 119--123
  • Karunaisiri R.P.U., Bruinsma R., Rudnick J. // Phys. Rev. Lett. 1989. Vol. 62. P. 788
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.