Структура и оптические свойства слоистых нанокомпозитов ZnSe/SiO2
Крылов П.Н., Закирова Р.М., Кобзиев В.Ф., Костенков Н.В., Федотова И.В., Хамидуллин Р.Р., Дедюхин А.А.
Поступила в редакцию: 21 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
Исследованы структура и оптические свойства слоистых нанокомпозитов ZnSe/SiO2, полученных ВЧ-магнетронным напылением. При малой толщине слоев селенида цинка нанокомпозиты являются рентгеноаморфными. При толщине слоев селенида цинка больше 20 Angstrem полученные пленки ZnSe/SiO2 содержат аморфную фазу SiO2 и нанокристаллиты селенида цинка кубической сингонии. Показано влияние толщины слоев селенида цинка на макронапряжения, показатель преломления и ширину запрещенной зоны.
- Терехин В.В., Дементьева О.В., Рудой В.М. // Успехи химии. 2011. Т. 89. Вып. 5. С. 477--494
- Климов В.В. // УФН. 2008. Т. 178. С. 875--880
- Stewart M.E., Anderton C.R., Thompson L.B., Matia J., Gray S.K., Rogers J.F., Nuzzo R.G. // Chem. Rev. 2008. Vol. 108. P. 494--521
- Ролдугин В.И. // Успехи химии. 2004. Т. 73. С. 123--156
- Соловьев В.Г. Экспериментальное исследование физических свойств регулярных матричных композитов и слоистых систем с наноструктурированными неорганическими и органическими веществами. Автореф. докт. физ.-мат. наук. СПб., 2015
- Штыков С.Н., Русинова Т.Ю. // Рос. хим. журн. (Журн. Рос. хим. об-ва им. Д.И. Менделеева). 2008. Т. LII. N 2. С. 92--100
- http://optics.org/news/3/6/9
- http://www.techweekeurope.co.uk/workspace/quantum-dots- pave-way-for-flexible-displays-49352
- Klimov V.I., Mikhailovsky A.A., Xu S., Malko A., Hollingsworth J.A., Leatherdale C.A., Eisler H.-J., Bawendi M.G. // Science. 2000. Vol. 290. P. 31411317
- Dang C., Lee J., Breen C., Steckel J.S., Coe-Sullivan S., Nurmikko A. // Nature Nanotechnology. 2012. Vol. 7. P. 335--339
- Zhang M., Banerjee A., Lee C.-S., Hinckley J.M., Bhattacharya P. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 98. P. 221 104-3
- Quantum Dots: research, technology and applications / Ed. by R.W. Knoss. NY: Nova Science Publishers. Inc., 2008. 691 p
- Zhao N., Osedach T.P., Chang L.-Y., Geyer S.M., Wanger D., Binda M.T., Arango A.C., Bawendi M.G., Bulovic V. // ACS Nano. 2010. Vol. 4. P. 3743--3752
- Chen J., Song J.L., Sun X.W., Deng W.Q., Jiang C.Y., Lei W., Huang J.H., Liu R.S. // Appl. Phys. Lett. 2009. Vol. 94. P. 153115-3
- Tessler N., Medvedev V., Kazes M., Kan S., Banin U. // Science. 2002. Vol. 295. P. 1506--1513
- Романов Р.И., Зуев В.В., Фоминский В.Ю., Гнедовец А.Г., Алымов М.И. // Российские нанотехнологии. 2013. Т. 8. N 7--8. С. 22--28. WWW.NANORF.RU
- Шубина Т.В. Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах. Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук. СПб., 2008
- Alle'gre J., Arnaud G., Mathieu H., Lefebvre P., Granier W., Boudes L. // J. Cryst. Growth. 1994. Vol. 138. N 1--4. P. 998--1003
- Kurian P.A., Vijayan C., Sathiyamoorty K., Suchand Sandeep C.S., Reji Philip // Nanoscale Res Lett. 2007. Vol. 2. P. 561--568. DOI 10.1007/s11671-007-9099-8
- Tokizaki T., Akiyama H., Takaya M., Nakamura A. // J. Cryst. Growth. 1992. Vol. 117. N 1--4. P. 603--607
- Bawendi M.G., Wilson W.L., Rothberg L., Carroll P.J., Jedju T.M., Steigerwald M.L., Brus L.E. // Phys. Rev. Lett. 1990. Vol. 65. P. 1623--1626
- Микушев С.В. Трансформация электронных и колебательных состояний нанокристаллов в зонные состояния объемных полупроводниковых материалов группы II-VI. Автореф. канд. физ.-мат. наук. СПб., 2010
- Schuppler S., Friedman S.L., Marcus M.A., Adler D.L., Xie Y.-H., Ross F.M., Harris T.D., Brown W.L., Chabal Y.J., Brus L.E., Citrin P.H. // Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72. N 16. P. 2648--2651
- Tolbert S.H., Herhold A.B., Brus L.E., Alivisatos A.P. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76. N 23. P. 4384--4387
- Bhargava R.N., Gallagher D., Hong X., Nurmikko A. // Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72. N 3. P. 416--419
- Крылов П.Н., Закирова Р.М., Князев И.А., Костенков Н.В., Романов Э.А, Федотова И.В. // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 10. С. 1371--1375
- Пудонин Ф.А. Размерные эффекты и магнитные свойства аморфных наноструктур на основе полупроводников и металлов. Автореф. докт. физ.-мат. наук. М., 2011
- Лукашин А.В. Создание функциональных нанокомпозитов на основе оксидных матриц с упорядоченной пористой структурой. Автореф. докт. хим. наук. М., 2009
- Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Рентгенографический и электронно-графический анализ. М.: МИСИС, 2002. С. 328
- Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 632 с. k
- Yang Jiang, Xiang-Min Meng, Wing-Ching Yiu, Ji Liu, Jun-Xian Ding, Chun-Sing Lee, Shuit-Tong Lee // J. Phys. Chem. B. 2004. Vol. 108. P. 2784--2787
- Nesheva D., vScepanovic M.J., Avskrabic S., Levi Z., Bineva I., Popovic Z.V. // Acta Phys. Polon. A. 2008. Vol. 116. N 1. P. 75--77
- Головань Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. // УФН. 2007. Т. 177. Вып. 6. С. 619--638
- Брус В.В., Солован М.Н., Майструк Э.В., Козярский И.П., Марьянчук П.Д., Ульяницкий К.С., Rappich J. // ФТТ. 2014, Т. 56. Вып. 10. С. 1886--1890
- Jiang H., Yao X., Che J., Wan X., Wang M. // J. Electroceram. 2008. Vol. 21. P. 733--736
- Софронов Д.С., Софронова Е.М., Костенюкова Е.И., Стариков В.В., Лебединский А.М., Матейченко П.В., Опанасюк А.С. // Журн. нано-электронной физики. 2014. Т. 6. N 1. С. 01016 (4cc)
- Wang M., Wang Y., Yao X., Kong F., Zhang L. // Chinese Science Bulletin. 2004. Vol. 49. N 7. P. 747--750
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
