Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния соотношения потоков V/III на процессы субмонослойной эпитаксии GaAs/GaAs(001) методом Монте-Карло
Российский научный фонд, 15-19-10006
Агеев О.А.
1, Солодовник М.С.
1, Балакирев С.В.
1, Михайлин И.А.
1
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия 
Email: ageev@sfedu.ru, solodovnikms@sfedu.ru, s.v.balak@gmail.com, ilmikhaylin@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 августа 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
Методом Монте-Карло проведено моделирование влияния соотношения потоков V/III на субмонослойный рост GaAs на поверхности GaAs(001) при различных технологических параметрах метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассчитаны зависимости поверхностной плотности островков от соотношения потоков V/III. Значение насыщения поверхностной плотности при температуре 580oC составило 2·1012 cm-2, что согласуется с экспериментальными данными. Наибольшее влияние соотношения потоков V/III на плотность островков обнаружено при пониженной температуре (550oC) и повышенной скорости роста (1 монослой в секунду), когда снижена десорбция мышьяка. Проведена оценка доли атомов мышьяка в растущей пленке при различных технологических режимах. Показано, что с увеличением степени заполнения поверхности влияние соотношения потоков V/III на долю атомов мышьяка ослабевает.
- Воловик Б.В., Сизов Д.С., Цацульников А.Ф., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Егоров В.А, Петров В.Н., Поляков Н.К., Цырлин Г.Э // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 11. С. 1368-1372
- Reyes K., Smereka P., Nothern D., Millunchick J.M., Bietti S., Somaschini C., Sanguinetti S., Frigeri C. // Phys. Rev. B. 2013. Vol. 87. P. 165 406
- Kawaharazuka A., Yoshiba I., Horikoshi Y. // Appl. Surf. Sci. 2008. Vol. 255. N 3. P. 737-739
- LaBella V.P., Bullock D.W., Ding Z., Emery C., Harter W.G., Thibado P.M. // J. Vac. Sci. Tech. A. 2000. Vol. 18. N 4. P. 1526-1531
- Ledentsov N.N., Grundmann M., Kirstaedter N., Schmidt O., Heitz R., Bohrer J., Bimberg D., Ustinov V.M., Shchukin V.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ruvimov S.S., Kosogov A.O., Werner P., Richter U., Gosele U., Heydenreich J. // Sol. St. Electron. 1996. Vol. 40. P. 785-798
- Riel B.J., Hinzer K., Moisa S., Fraser J., Finnie P., Piercy P., Fafard S., Wasilewski Z.R. // J. Cryst. Growth. 2002. Vol. 236. P. 145-154
- Morgan C.G., Kratzer P., Scheffler M. // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 82. N 24. P. 4886-4889
- Murdick D.A., Wadley H.N.G., Zhou X.W. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. P. 125 318
- Shiraishi K., Ito T. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57. N 11. P. 6301-6304
- Amrani A., Djafari Rouhani M., Mraoufel A. // Appl. Nanosci. 2011. Vol. 1. P. 59-65
- Kangawa Y., Ito T., Taguchi A., Shiraishi K., Irisawa T., Ohachi T. // Appl. Surf. Sci. 2002. Vol. 190. P. 517-520
- Kratzer P., Scheffler M. // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 88. N 3. P. 036 102
- Kratzer P., Penev E., Scheffler M. // Appl. Phys. A. 2002. Vol. 75. P. 79-90
- Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 11. С. 1312-1319
- Kley A., Ruggerone P., Scheffler M. // Phys. Rev. Lett. 1997. Vol. 79. N 26. P. 5278
- Pashley M.D. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 40. P. 10 481
- Daweritz L., Ploog K. // Semicond. Sci. Tech. 1994. Vol. 9. N 2. P. 123-136
- Foxon C.T., Joyce B.A. // Surf. Sci. 1977. Vol. 64. P. 293
- Tok E.S., Neave J.H., Zhang J., Joyce B.A., Jones T.S. // Surf. Sci. 1997. Vol. 374. P. 374
- Avery A.R., Dobbs H.T., Holmes D.M., Joyce B.A., Vvedensky D.D. // Phys. Rev. Lett. 1997. Vol. 79, P. 3938-3941
- Tok E.S., Neave J.H., Allegretti F.E., Zhang J., Jones T.S., Joyce B.A. // Surf. Sci. 1997. Vol. 371. P. 277-288
- Garcia J.C., Neri C., Massies J. // J. Cryst. Growth. 1989. Vol. 98. P. 511-518
- Foxon C.T., Joyce B.A. // Surf. Sci. 1975. Vol. 50. P. 434-450
- Kratzer P., Morgan C.G., Scheffler M. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. P. 15 246
- Banse B.A., Creighton J.R. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. P. 856
- Nishinaga T., Shen X.Q. // Appl. Surf. Sci. 1994. Vol. 82-83. P. 141
- Nishinaga T. // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2004. Vol. 48-49. P. 104-122
- Higuchi Y., Uemura M., Masui Y., Kitada T., Shimomura S., Hiyamizu S. // J. Cryst. Growth. 2003. Vol. 251. P. 80-84
- Tatsuoka Y., Kamimoto H., Kitano Y., Kitada T., Shimomura S., Hiyamizu S. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. Vol. 17. N 3. P. 1155-1157
- Itoh M., Bell G.R., Joyce B.A., Vvedensky D.D. // Surf. Sci. 2000. Vol. 464. P. 200
- Itoh M., Bell G.R., Avery A.R., Jones T.S., Joyce B.A., Vvedensky D.D. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 81. N 3. P. 633-636
- Балакирев С.В., Блинов Ю.Ф., Солодовник М.С. // Известия ЮФУ. Технические науки. 2014. N 9(158). С. 93-105
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
