Параметры импульсных генераторов с ДДРВ на основе 4H-SiC: влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.
Промоделирована генерация высоковольтных электрических импульсов в генераторах с дрейфовыми диодами с резким восстановлением на основе 4H-SiC. Показано влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC на форму выходных импульсов.
- Грехов И.В., Месяц Г.А. // УФН. 2005. Т. 175. N 7. С. 735--744
- Иванов П.А., Грехов И.В. // ЖТФ. 2015. Т. 85. Вып. 6. С. 111--117
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
