"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Сравнительный анализ механизмов пробоя тонких окислов SiO2 в структурах металл-окисел-полупроводник при воздействии тяжелых заряженных частиц и импульсного электрического напряжения
Зинченко В.Ф.1, Лаврентьев К.В.1, Емельянов В.В.1, Ватуев А.С.1
1Научно-исследовательский институт приборов Госкорпорации "Росатом" Лыткарино, Московская обл., Россия
Email: vfzinchenko@niipribor.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Проведены экспериментальные исследования закономерностей пробоя тонких окислов SiO2 в структурах металл-окисел-полупроводник мощных полевых транзисторов при воздействии одиночных тяжелых заряженных частиц и импульсного электрического напряжения. В рамках феноменологического подхода выполнен сравнительный анализ физических механизмов, а также энергетических критериев пробоя SiO2 при предельных уровнях возбуждения электронной подсистемы за времена в субпикосекундном диапазоне.
  • Ferlet-Cavrois V., Binois C., Carvalho A. // IEEE T. Nucl. Sci. 2012. Vol. 59. N 6. P. 2920--2929
  • Malobabic S., Ellis D.F., Salcedo J.A. // Proc. of the 7-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Caribbean Conf. on Devices, Circuits and Systems. Mexico., 2008
  • Lombardo S., Crupi F., La Magna A. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. N 1. P. 472--479
  • Wrobel T.F. // IEEE T. Nucl. Sci. 1987. Vol. 34. N 6. P. 1262--1268
  • Chen D.N., Cheng Y.C. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. P. 1592--1600
  • Fischer T.A. // IEEE T. Nucl. Sci. 1987. Vol. NS-34. N 6. P. 1786--1791
  • Biersack J.P., Haggmark L.G. // Nucl. Instrum. Meth. 1980. Vol. 74. N 1--2. P. 257--269
  • Raine M., Valentin A., Gaillardin M. // IEEE T. Nucl. Sci. 2012. Vol. 59. N 6. P. 2697--2703
  • Комаров Ф.Ф. // УФН. 2003. Т. 173. Вып. 12. С. 1287--1318
  • Cellere G., Paccagnella A., Visconti A. // IEEE T. Nucl. Sci. 2004. Vol. NS-51. N 6. P. 3304--3311
  • Oldham T.R. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57. N 8. P. 2695--2702
  • Емлин Р.В., Гилев А.С. // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 1. С. 140--143
  • Readley B.K. // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. N 3. P. 998--1007
  • Heimann P.A. // IEEE T. Electron. Dev. 1983. Vol. ED-30, P. 1366--1368
  • Ferry D.K. // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50. P. 1422--1427.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.