Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование гистерезисных кривых кристаллических сегнетоэлектриков с помощью параметров управляющего электрического поля
1Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия 
Email: Anatoly.Zakharov@novsu.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.
Предложено описание процессов переключения в кристаллических сегнетоэлектриках с учетом воздействия переменного внешнего электрического поля на основе уравнений релаксационных процессов. Предположено, что вероятность переключения доменов зависит не только от мгновенного значения управляющего поля, но и от скорости его изменения. Зависимость управляющего поля от времени задается произвольной периодической функцией. Получены уравнения процессов переключения доменов в сегнетоэлектрике и найдены точные аналитические решения этих уравнений. На основе полученных решений выполнено численное исследование связи между частотой синусоидального внешнего поля и формой гистерезисных кривых. Показано, что учет зависимости времени релаксации от скорости изменения управляющего поля позволяет существенно улучшить согласие результатов моделирования гистерезисных кривых сегнетоэлектриков с экспериментальными данными.
- Yu G., Chen X., Wang G., Dong X. // Ferroelectrics, 2010. Vol. 403. N 1. P. 219--224
- Horiuchi S., Kagawa F., Hatahara K., Kobayashi K., Kumai R., Murakami Y., Tokura Y. // Nature Commun. 2012. Vol. 3. P. 1308
- Wongdamnern N., Ngamjarurojana A., Laosiritaworn Y., Ananta S., Yimnirun R. // J. Appl. Phys., 2009. Vol. 105. N 04. P. 044109-1--044109-6
- Yimnirun R., Laosiritaworn Y., Wongsaenmai S., Ananta S. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. N 16. P. 162901-1--162901-3
- Kukushkin S.A., Osipov S.A. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. N 6. P. 174101-1--174101-14
- Kaupuvzs J., Rimshans J., Smyth N.F. // Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 2008. Vol. 16. N 6. P. 065004-1--065004-10
- Dong W.D., Pisani D.M., Lynch C.S. // Smart Mater. Struct. 2012. Vol. 21. N 9. P. 094014-1--094014-10
- Tagantsev A.K., Stolichnov I., Setter N., Cross J.S., Tsukada M. // Phys. Rev B. 2002. Vol. 66. N 21. P. 214109-1--214109-6
- Genenko Yu.A., Zhukov S., Yampolskii S.V., Schutrumpf J., Dittmer R., Jo W., Kungl H., Hoffmann M.J., von Seggern H. // Adv. Funct. Mater. 2012. Vol. 22. N 10. P. 2058--2066
- Schutrumpf J., Zhukov S., Genenko Yu.A., von Segger H. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2012. Vol. 45. N 16. P. 165301-1--165301-6
- Kalinin S.V., Morozovska A.N., Chen L.Q., Rodriguez B.J. // Rep. Prog. Phys. 2010. Vol. 73. N 5. P. 056502-1--056502-67
- Zakharov A.Yu., Bichurin M.I., Yan Yongke, Priya S. // Solid State Phenomena. 2013. Vol. 202. P. 127--141
- Захаров А.Ю., Бичурин М.И., Yan Y., Priya S. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 8. С. 54--58
- Zakharov A.Yu., Bichurin M.I., Evstigneeva N.V. // arXiv:1105.0930v1 [cond-mat.mtrl-sci] 4 May 2011. 5 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
