Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

СТМ-наблюдение сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi₂(111), выращенных при высокой температуре

Алексеев А.А., Олянич Д.А., Утас Т.В., Котляр В.Г., Зотов А.В., Саранин А.А.^1,2

¹Институт автоматики и процессов управления РАН, Владивосток, Россия
²Школа естественных наук Дальневосточного федерального университета, Владивосток, Россия School of Natural Sciences, Far Eastern Federal University, Vladivostok, Russia

School of Natural Sciences, Far Eastern Federal University, Vladivostok, Russia

Поступила в редакцию: 22 декабря 2014 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

PDF версия

С помощью сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) изучены основные закономерности роста сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi₂(111) с покрытием Co до 4 ML, полученных при последовательном осаждении атомов Co и Si в стехиометрическом соотношении на поверхность Co-Si(111) при комнатной температуре и последующем отжиге при 600-700^oC. При покрытии атомов Co ниже ~ 2.7 ML наблюдается рост плоских островков CoSi₂ высотой до ~3 nm с поверхностной структурой 2x2 или 1x1. Показано, что формирование сплошных эпитаксиальных пленок CoSi₂, в состав которых входит 3-4 тройных слоя Si-Co-Si, происходит при условии точного контроля осаждения. Пленки CoSi₂ могут содержать включения локальных участков с реконструкцией (2x1)Si. При температуре выше 700^oC происходит рост многоуровневой пленки CoSi₂ с точечными проколами (pinholes) вследствие вертикального роста из-за разницы свободных энергий поверхностей CoSi₂(111) и Si(111). Согласно теоретическим расчетам, наиболее выгодными структурами интерфейса CoSi₂(111)2x2 являются структуры A- и B-типа с координационным числом атомов Co, равным 8.

Pirri C., Peruchetti J.C., Bolmont D., Gewinner G. // Phys. Rev. B. 1986. Vol. 33. N 6. P. 4108-4113
Hellman F., Tung R.T. // Phys. Reva. B. 1988. Vol. 37. N 18. P. 10786-10794
Charnbliss D.D., Rhodin T.N., Rowe J.E. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. N 3. P. 1193--1203
Dolbak A.E., Olshanetsky B.Z., Teys S.A. // Surf. Sci. 1997. Vol. 373. P. 43-55
Starke U., Schardt J., Weib W., Rangelov G., Fauster T.H., Heinz K. // Surf. Rev. Lett. 1998. Vol. 5. P. 139-144
Долбак Ф.Е., Ольшанетский Б.З., Тийс С.А., Жачук Р.А. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 8. P. 14894-1494
Seubert A., Schardt J., Weib W., Starke U., Heinz K., Fauster Th. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. P. 727-133
Kim K.J., Kang T.-H., Kim K.-W., Shin H.-J., Kim B. // Appl. Surf. Sci. 2000. Vol. 161. P. 268-275
Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Фараджев Н.С. // ФТТ. 2001. Т. 43. Вып. 3. P. 549-553
Гомоюнова М.В., Гребенюк Г.С., Пронин И.И. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 6. P. 120-124
Chambers S.A., Anderson S.B., Chen H.W., Weaver J.H. // Phys. Rev. B. 1986. Vol. 34. N 2. P. 913-920
Luches P., Rota A., Valeri S., Pronin I.I., Valdaitsev D.A., Faradzhev N.S., Gomoyunova M.V. // Surf. Sci. 2002. Vol. 511. P. 303--311
Gibson J.M., Batstone J.L., Tung R.T. // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51. P. 45-59
Fischer A.E.M.J., Slijkerman W.F.J., Nakagawa K., Smith R.J., van der Veen J.F. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 64. P. 3005-3013
Stalder R., Sirringhaus H., Onda N., von Kanel H. // Sur. Sci. 1991. Vol. 258. P. 153-165
Bulle-Lieuwma C.W.T. // Appl. Surf. Sci. 1993. Vol. 68. P. 1--18
Chisholm M.F., Pennycook S.J., Jebasinski R., Mantl S. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 18. P. 2409--2411
Goncalves-Conto S., Scharer U., Muller E., von Kanel H., Miglio L., Tavazza F. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 55. N 11-15. P. 7213--7221
Von Kanel H. // Mat. Sci. Repts. 1992. Vol. 8. P. 193--269
Vrijrnoeth J., Zaima S., Vlieg E., Frenken J.W.M. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. N 12. P. 6700-6708
Bennett P.A., Parikh S.A., Lee M.Y., Cahill D.G. // Surf. Sci. 1994. Vol. 312. P. 377-386
Ilge B., Palasantzas G., de Nijs J., Geerligs L.J. // Surf. Sci. 1998. Vol. 414. P. 279-289
Zilani M.A.K, Liu L., Xu H., Feng Y.P., Wang X-S., Wee1 A.T.S. // J. Phys.: Cond. Matt. 2006. Vol. 18. P. 6987-6965
Tung R.T. // Mat. Chem. Phys. 1992. Vol. 32. N 2. P. 107-133
Murarka S.P. // Intermetallics. 1995. Vol. 3. P. 173-186
Olyanich D.A., Utas T.V., Alekseev A.A., Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A. // Surf. Sci. 2014. Vol. 625. P. 57-63
Catana A., Schmid P.E., Rieubland S., Levy F., Stadelmann P.J. // J. Phys.: Cond. Matt. 1989. Vol. 1. N 25. P. 3999-4004
Catana A., Schmid P.E., Lu P., Smith D.J. // Phil. Mag. A. 1992. Vol. 66. N 6. P. 933-956
Von Kanel H., Schwarz C., Goncalves-Conto S., Muller E., Miglio L., Tavazza F., Malegori G. // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 74. N 7. P. 1163-1166
Horsfield A.P., Fujitani H. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 63. N 3. P. 235303-6
Moroni E.G., Podloucky R., Hafner J. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 81. N 9. P. 1969(4)
Hamann D.R. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 60. N 4. P. 313--316
Rossi G., Jin X., Santaniello A., DePadova P., Chandesris D. // Phys. Rev. Lett. 1989. Vol. 62. N 2. P. 191--194
Tung R.T., Gibson J.M., Poate J.M. // Appl. Phys. Lett. 1983. Vol. 42. P. 888--890
Tung R.T., Gibson J.M., Poate J.M. // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 50. N 6. P. 429-432
Ruan L., Chen D.M. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 72. N 26. P. 3464-3466
Belousov I.V., Grib A.N., Kuznetsov G.V. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics \& Optoelectronics. 2006. Vol. 9. N 3. P. 29-34
Tung R.T., Batstone J.L. // Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 52. N 8. P. 648-650
Olyanich D.A., Utas T.V., Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Romashev L.N., Solin N.I., Ustinov V.V. // Appl. Surf. Sci. 2014. Vol. 292. P. 954-957
Phaneuf R.J., Hong Y., Horch S., Bennett P.A. // Phys. Rev. Lett. 1997. Vol. 78. N 24. P. 4605-4608
Phaneuf R.J., Bennett P.A., Marsi M., Gunther S., Gregoratti L., Casalis L., Kiskinova M. // Surf. Sci. 1999. Vol. 431. P. 232-241
Vrijmoeth J., Schins A.G., van der Veen J.F. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 40. N 5. P. 3121-3128
Walter S., Blobner F., Krause M., Muller S., Heinz K., Starke U. // J. Phys.: Cond. Matt. 2003. Vol. 15. P. 5207-5221
Van den Hoek P.J., Ravenek W., Baerends E.J. // Surf. Sci. 1988. Vol. 205. P. 549-568
Oura K., Lifshits V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Katayama M. Surface Science: An Introduction, Springer, Berlin, 2003. 443 c
Tung R.T., Poate J.M., Bean J.C., Gibson J.M., Jacobson D.C. // Thin Solid Films. 1982. Vol. 93. P. 77-90
Utas O.A., Utas T.V., Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G. // Surf. Sci. 2005. Vol. 596. P. 53-60
Ishibashi K., Furukawa S. // Japan. J. Appl. Phys. 1985. Vol. 24. N 8. P. 912-917.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель