Появление фотоиндуцированных дефектов в пленках a-Si : H связано с увеличением плотности состояний в середине запрещенной зоны вследствие конверсии слабых, напряженных связей кремния с водородом (Si : H) в оборванные Si-Si-связи, с наличием пространственно разделенных областей с различной концентрацией и типами связей Si-H. В структурах с квантовыми ямами (MQW) на основе InGaN/GaN, легированных РЗИ, фотоиндуцированные дефекты появляются в результате увеличения интенсивности возбуждения при измерениях спектров микрофотолюминесценции, что является причиной реализации сложного пространственного рельефа случайного потенциала в основном в латеральной плоскости, вследствие чего возможно появление кластеров с отличающимся от среднего составом In вплоть до разделения фаз InN и GaN.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.