Вышедшие номера
Определение уровня расплава из реального весового сигнала в автоматизированном процессе выращивания кристаллов по способу Степанова (EFG) и использование перемещения тигля в качестве управляющего воздействия
Россоленко С.Н.1, Стрюков Д.О.1, Курлов В.Н.1
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: stryukov@issp.ac.ru
Поступила в редакцию: 28 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Определен текущий уровень расплава из реального весового сигнала в автоматизированном процессе выращивания кристаллов по способу Степанова (EFG). При этом не требуется знания реальной формы растущих кристаллов. На основе численного решения капиллярного уравнения Лапласа произведен анализ использования перемещения тигля с расплавом в качестве управляющего воздействия, влияющего на форму менисков и растущих кристаллов.
  1. Kurlov V.N., Rossolenko S.N // J. Cryst. Growth.1997. N 173. P. 417--426
  2. Rossolenko S.N. // J. Cryst. Growth. 2001. N 231. P. 306--315
  3. Abrosimov N.V., Kurlov V.N., Rossolenko S.N. // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 2003. N 46. P. 1--57
  4. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Механика сплошных сред. М.: Гостехтеориздат, 1953. 788 с
  5. Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука, 1988. 240 с
  6. Россоленко С.Н., Курлов В.Н., Асрян А.А. // Материаловедение. 2008. N 9. С. 6--16
  7. Rossolenko S.N., Kurlov V.N., Asrian A.A. // Cryst. Res. Technol. 2009. Vol. 44. N 7. P. 689--700
  8. Satunkin G.A. // J. Cryst. Growth. 2003. N 255. P. 170--189
  9. Kuandykov L.L., Antonov P.I. // J. Cryst. Growth. 2001. N 232. P. 852--861

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.