"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности электронной структуры наноразмерных ионно-имплантированных слоев в кремнии
Рысбаев А.С.1, Хужаниязов Ж.Б.1, Нормурадов М.Т.1, Рахимов А.М.1, Бекпулатов И.Р.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: rysbaev@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Методами фото- и вторичной электронно-электронной спектроскопии исследовано влияние имплантации ионов Ва, Р, В и щелочных элементов с низкой энергией (E0< 5 keV) на электронную структуру тонкой приповерхностной области монокристаллов Si(111) p и n-типа. Показано, что высокодозная ионная имплантация независимо от типа иона приводит к резкому сужению ширины запрещенной зоны кремния, что объясняется перекрытием волновых функций электронов атомов примеси и образованием примесной подзоны, которая перекрывается с разрешенной зоной. После имплантационного термического отжига авторами впервые получены пленки SiP, BaSi, SiB3 с наноразмерными толшинами. Определены оптимальные режимы ионной имплантации и последующего отжига для формирования силицидных пленок и исследована их электронная структура.
  1. Rysbaev А.S., Nasriddinov S.S., Yuldashev Yu.Yu., Djuraev Sh.H., Rahimov A., Shaymanova N., Mirzaeva F.A. // Thin silicide films: producing and properties. 8-th international Conference Solid state physics. Abstracts. Almaty. 2004. P. 353--354
  2. Король В.М., Кудрявцев Ю. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 2. С. 268--273
  3. Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Пармин Е.О. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. N 5. С. 363--370
  4. Monch W. // Surf. Sci. 1979. Vol. 86. P. 672--699
  5. Aumidliato A., Nobili D., Ostoja P., Servidore M., Whelan M.J. Semiconductor silicon. 1977. 638 p
  6. Тамм И.Е. Основы теории электричества. М.: Наука, 1976. 320 с
  7. Рысбаев А.С. // Радиотехн. и электрон. 2001. Т. 46. N 7. С. 883--885
  8. Нормурадов М.Т., Руми Д.С., Рысбаев А.С. Изв. АН УзССР. Сер. Физ-мат. 1986. N 4. С. 70--73.
  9. Запорожченко В.И., Матин Е.Н., Степанова М.Г. // Поверхность. 1996. N 8. С. 77--84
  10. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. 219 с
  11. Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И., Хохлов А.Ф. Исследование энергетических уровней примесных атомов в кремнии при ионном легировании. Легированные полупроводники. М.: Наука, 1975. С. 15--18
  12. Прохоров В.И., Соколов В.И., Сорокин М.М. Реагенная диффузия фосфора в кремнии. Легированные полупроводниковые материалы. М.: Наука, 1985. С. 76
  13. Самкурашвили Т.В., Байрамашвили И.А., Александрия Б.В. Получение и исследование структуры тонких пленок бора. Бор: получение, структура и свойства. М.: Наука, 1974. C. 142--144
  14. Headrick R.L., Robinson L.K., Vlieg E., Feldman L.C. // Phys. Rev. Lett. 1989. Vol. 63. N 12. P. 1253
  15. Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Шоу. М.: Мир, 1975. 684 с
  16. Рысбаев А.С., Нормурадов М.Т., Хужаниезов Ж.Б., Ташатов А.К., Юлдашев Ю.Ю., Холиков Ю.Д., Насриддинов С.С. Радиотехн. и электрон. 2007. Т. 52. N 8. С. 969--972
  17. Полинг Л. Природа химических связей. М.: Госхимиздат, 1947
  18. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика проводников. М.: Наука, 1990. 688 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.