Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика SmScO₃

Гущина Е.В., Дунаевский М.С., Алексеев П.А., Durv gun Ozben E., Макаренко И.В., Титков А.Н.^1,2

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 15 января 2014 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом микроскопии Кельвин-зонд изучалось поведение зарядов, локально инжектированных из зонда атомно-силового микроскопа в нанотонкие пленки high-k диэлектрика SmScO₃, осажденные на подложку кремния. Предварительно пленки отжигались при разных температурах; выше 900^oС в аморфных пленках наблюдалось формирование поликристаллических включений. Для пленок, отожженных при 900^oC, наблюдалось длительное время сохранения инжектированного заряда, в десятки раз превышающее соответствующие времена для традиционных приборных диэлектриков SiO₂ и Si₃N₄. Также оказалась резко замедленной и диффузия носителей в плоскости диэлектрических слоев.

Перевалов Т.В., Гриценко В.А. и др. // УФН. 2010. Т. 180. N 6
Christen et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 262 906
Алексеев П.А., Дунаевский М.С. и др. // ПЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 9. С. 47--55
Durv gun Ozben E, Lopes J.M.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 93. P. 052 902
Marcelo Lopesa J., Durv gun Ozbenb E. et al. // ECS Transaction. 2011. Vol. 35 (4). P. 461--479
Buh G.H., Chung H.J., Kuk Y. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 2010
www.ntmdt.ru
Dunaevskiy M.S., Alekseev P.A. et al. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. P. 084 304 (9 p.)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель