Особенности высокочастотной вольт-фарадной характеристики фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе кремниевого p-n-перехода с антиотражающим слоем пористого кремния
Трегулов B.B.1
1Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
Email: trww@yandex.ru
Поступила в редакцию: 6 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.
Представлены результаты экспериментального исследования высокочастотной вольт-фарадной характеристики фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе n+-p-перехода с тонкой пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Показано, что вольт-фарадная характеристика определяется поверхностной МДП-структурой, возникающей в результате формирования слоя пористого кремния методом анодного электрохимического травления. Определена эффективная толщина диэлектрического слоя поверхностной МДП-структуры, концентрация примеси в ее полупроводниковой области и плотность поверхностных состояний.
- Трегулов В.В., Скопцова Г.Н. // Научно-технический вестник Поволжья. 2013. N 2. С. 44-47
- Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Высшая школа, 1984. 214 с
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с
- Зимин С.П. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 3. С. 359-363
- Fang J., Pilon L. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101. P. 011 909
- Тутов Е.А., Бормонтов Е.Н., Кашкаров В.М., Павленко М.Н., Домашевская Э.П. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 11. С. 83-89
- Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 9. С. 1130-1134
- Головань Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. // УФН. 2007. Т. 177. Вып. 6. С. 619-638
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
