Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аналитическая модель дрейфа и диффузии носителей заряда в органических светодиодах при наличии объемного заряда
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия 
Email: natsan@inbox.ru
Поступила в редакцию: 19 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.
Предложена сравнительно простая аналитическая модель для расчета вольт-амперных характеристик для монополярного режима транспорта заряда в тонких слоях неупорядоченных органических материалов, которая учитывает энергетический беспорядок и эффекты объемного заряда. Определена зависимость минимальной высоты энергетического барьера для инжекции, при которой можно пренебречь эффектами объемного заряда, в зависимости от толщины слоя и ширины гауссова энергетического распределения.
- Scott J.C., Malliaras G.G. // Chem. Phys. Lett. 1999. Vol. 299. P. 115--119
- Crone B.K., Davids P.S., Campbell I.H., Smith D.L. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. P. 1974--1982
- Blom P.W.M., Jong M.J.M., Vleggaar J.J.M. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. P. 3308--3310
- Burin A.L., Ratner M.A. // J. Chem. Phys. 2000. Vol. 113. P. 3941--3944
- Arkhipov V.I., von Seggern H., Emelianova E.V. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83, P. 5074--5076
- Bassler H. // Phys. Stat. Sol. B. 1993. Vol. 175. P. 15--56
- Van der Holst J.J.M., van Oost F.W.A., Caehoorn R., Bobbert P.A. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 085 206--085 206-13
- Knapp E., Hausermann R., Schwarzenbach H.U., Ruhstaller B. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 054 504--054 504-8
- Genenko Yu.A., Yampolskii S.V., Melzer C., Stegmaier K., von Seggern H. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81. P. 125 310--125 310-15
- Arkhipov V.I., Wolf U., Bassler H. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. P. 7514--7520
- Arkhipov V.I., Emelianova E.V., Tak Y.-H., Bassler H. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 848--856
- Ruhstaller B., Knapp E., Perucco B., Reinke N., Rezzonico D., Muller F. Advanced Numerical Simulation of Organic Light-emitting Devices, Optoelectronic Devices and Properties / Ed. by O. Sergiyenko. InTech, 2011. 660 p
- Neumann F., Genenko Y.A., Melzer C., Yampolskii S.V., Seggern H. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. P. 205 322--205 322-10
- Lampert M.A., Mark P. Current Injection in Solids. NY: Academic, 1970
- Mensfoort S.L.M., Shabro V., Vries R.J., Janssen R.A.J., Coehoorn R. // J. Appl. Phys. 2010, Vol. 107. P. 113 710--113 710-8
- Coehoorn R., Pasveer W.F., Bobbert P.A., Michels M.A.J. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 155 206--155 206-20
- Wolf U., Arkhipov V.I., Bassler H. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. P. 7507--7513
- Lochner K., Reimer B., Bassler H. // Phys. Stat. Sol. B. 1976. Vol. 76. N 2, P. 533--540
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
