"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние степени легирования на температурную бистабильность в кремниевой пластине
Овчаров В.В.1, Рудаков В.И.1, Пригара В.П.1, Куреня А.Л.1
1Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия
Email: ovcharov.vlad@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 21 июля 2014 г.

Исследовано влияние степени легирования на проявление эффекта температурной бистабильности в кремниевой пластине при радиационном теплообмене пластины с элементами тепловой системы. Построены теоретические передаточные характеристики для кремниевой пластины, легированной донорной и акцепторной примесями. Проведено их сравнение с передаточными характеристиками, полученными при нагреве и охлаждении пластин дырочного (концентрация легирующей примеси 1015, 2· 1016, 3· 1017 cm-3) и электронного (концентрация примеси 1015 и 8· 1018 cm-3) типов проводимости в термическом реакторе установки быстрого термического отжига. Установлено, что ширина и высота петли гистерезиса уменьшаются с увеличением концентрации легирующей примеси и практически не зависят от типа проводимости кремниевой пластины. Критическое значение концентрации примеси обоих типов составило 1.4· 1017 cm-3. При этой концентрации ширина петли обращается в нуль, а высота соответствует минимальному значению скачка температуры ~200 K. Обсужден механизм температурной бистабильности в кремниевой пластине при радиационном теплообмене.
  • Гиббс Х. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света. М.: Мир, 1988. 518 с
  • Розанов Н.Н. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах. М.: Наука, Физматлит, 1997. 334 с
  • Рудаков В.И., Овчаров В.В., Пригара В.П. // ПЖТФ. 2008. Т. 34. Вып. 16. С. 79--87
  • Rudakov V.I., Ovcharov V.V., Kurenya A.L., Prigara V.P. // Microelectron. Eng. 2012. Vol. 93. P. 67--73
  • Пригара В.П., Овчаров В.В, Куреня А.Л., Рудаков В.И. // Тез. докл. VIII Межд. конф. и VII Школы молодых ученых и специалистов (Кремний-2011), М., 2011. С. 114
  • Dilhac J-M., Ganibal C. // Rapid Thermal and Other Short-time Processing Technologies. The Electrochemical Society Proceedings Series. Penington. NJ, 2000. Vol. 2000-9. P. 421
  • Мочалов Б.В., Рудаков В.И. // Приборы и техника эксперимента. 1996. Вып. 2. С. 155--157
  • Зигель Р., Хауэлл Дж. Теплообмен излучением. М.: Мир, 1975. 934 с
  • Zeegers J., van Dijk H.A.L. // Sol. Energ. Mat. Sol. C. 1994. Vol. 33. P. 23--30
  • www.me.gatech.edu/~zzhang
  • Lee B.J., Zhang Z.M. // Proc. of the 13th IEEE International Conference on. Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2005. IEEE, 2005. P. 7
  • Lee B.J., Zhang Z.M. // Proc. of the 13th IEEE International Conference on. Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2005. IEEE, 2005. P. 10
  • Joshi V. et al. // Proc. of the 2010 Asia and South Pacific Design Automation Conference. IEEE Press, 2010. P. 739--744
  • Cacho F. et al. // IEEE T. Semiconduct. M. 201. Vol. 23. N 2. P. 303--310
  • Эпштейн Э.М. // Изв. вузов. Радиофизика. 1972. Т. 15. Вып. 1. С. 33
  • Магунов А.Н. Лазерная термометрия твердых тел. М.: Физматлит, 2002. 222 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.