Распределение потенциала в сегнетокерамике при экзоэлектронной импульсной эмиссии электронов
Иванов В.Н.1, Рабкин Л.М.1
1Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: ivanov@phys.rnd.runnet.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Численными методами исследовано распределение потенциала и поляризации в плоском эмитирующем слое сегнетокерамики состава PLZT-9/65/35 с двумя проводящими электродами: в виде системы лент на его эмитирующей стороне и сплошного на противолежащей. Рассмотрено состояние, возникающее непосредственно после переполяризации на фронте приложенного импульса напряжения, когда еще не произошло экранирование поляризационных зарядов свободными. Установлено, что при напряженности импульсного поля, существенно превышающей удвоенную величину коэрцитивного поля, в приповерхностном слое между лентами образуются области с чередующейся по направлению поляризацией, ее нормальная составляющая в максимумах близка к насыщению. Электрическое поле по обе стороны поверхности меняется в соответствии с вектором поляризации и достигает 200 kV/cm. На микронеоднородностях поверхности поле значительно больше, т. е. именно автоэлектронная эмиссия ответственна за выход электронов из сегнетокерамики в процессе ее импульсной переполяризации.
- Zhang W., Huebner W. // Ferroelectrics. 1999. Vol. 221. P. 199-207
- Иванов В.Н., Рабкин Л.М. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 12. С. 43--46
- Турик А.В. // ФТТ. 1963. Т. 5. Вып. 4. С. 1213--1215
- Морс Ф.М., Фешбах Г. Методы теоретической физики. М.: ИЛ, 1958. Т. 1. 960 с
- Поттер Д. Вычислительные методы в физике. М.: Мир, 1975. 392 с
- Хокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц. М.: Мир, 1987. 640 с
- Вайнштейн Л.А. // Электроника больших мощностей. М.: АН СССР, 1963. Сб. 2. С. 25--56
- Справочник по специальным функциям. / Под ред. М. Абрамовица, И. Стигана. М.: Наука, 1979. 832 с
- Красносельский М.А., Вайникко Г.М., Забрейко П.П. и др. Приближенное решение операторных уравнений. М.: Наука, 1969. 456 с
- Haertling G.H., Land C.E. // J. Amer. Ceramic Soc. 1971. Vol. 50. N 1. P. 1--11
- Hundel H., Hadrek J., Riege H. at al. // Ferroelectrics. 1990. Vol. 110. P. 183--192
- Гуро Г.М., Иванчик И.И., Ковтонюк Н.Ф. // Сб. Титанат бария. М.: Наука, 1973. С. 71--77
- Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 736 с
- Watson A., Dow J. // J. Appl.Phys. 1968. Vol. 39. N 13. P. 5935--5940
- Вайсбурд Д.И., Твердохлебов С.И., Тухфатуллин Т.А. // Изв. вузов. Физика. 1997. Т. 40. Вып. 11. С. 45--67
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук