Условия формирования единичной проводящей наноструктуры при электроформовке
Мордвинцев В.М.1, Кудрявцев С.Е.1
1Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль, Россия
Email: mvm@imras.yar.ru
Поступила в редакцию: 22 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Экспериментально показано, что при электроформовке (образовании углеродистой проводящей среды при прохождении тока через органический материал в условиях сильного электрического поля) в открытых "сандвич"-структурах с изолирующей щелью шириной несколько десятков нанометров существуют факторы, которые способствуют (внешнее балластное сопротивление) или препятствуют (локальное сопротивление растекания и наличие начальной проводимости по изолирующей щели) формированию единичного проводящего элемента между электродами. В терминах эквивалентной электрической схемы построена простая модель, которая позволила сформулировать баланс этих факторов и получить диаграмму ток-напряжение, демонстрирующую наличие области, в пределах которой при выполнении электроформовки можно сформировать единичную проводящую наноструктуру. Получено выражение для минимального возможного значения сопротивления наноструктуры, связанного с ее геометрическими параметрами.
- Дирнлей Дж., Стоунхэм А., Морган Д. // УФН. 1974. Т. 112. Вып. 1. С. 83--127
- Pagnia H., Sotnik N. // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. Vol. 108. N 11. P. 11--65
- Валиев К.А., Левин В.Л., Мордвинцев В.М. // ЖТФ. 1997. Т. 67. Вып. 11. С. 39--44
- Валиев К.А., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. и др. // Микроэлектроника. 1997. Т. 26. N 1. C. 3--11
- Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 11. С. 85--93
- Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. // Микроэлектроника. В печати
- Мордвинцев В.М., Левин В.Л. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 12. С. 88--100
- Елецкий А.В., Смирнов Б.М. // УФН. 1985. Т. 147. Вып. 3. С. 459--484
- Johnson J.P., Christophorou L.G., Carter J.G. // J. Chem. Phys. 1977. Vol. 67. N 5. P. 2196--2215
- Лускинович П.Н., Фролов В.Д., Шавыкин А.Е. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 62. Вып. 11. С. 868--872
- Голов Е.Ф., Михайлов Г.М., Редькин А.Н. и др. // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. N 2. C. 97--102
- Penner R.M., Heben M.J., Lewis N.S. // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 58. N 13. P. 1389--1391
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
