Исследование влияния низкоэнергетичной ионной стимуляции на плотность и кристаллическую структуру тонких пленок
Наумов В.В.1, Бочкарев В.Ф.1, Трушин О.С.1, Горячев А.А.1, Хасанов Э.Г.1, Лебедев А.А.1, Куницын А.С.1
1Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль, Россия
Email: mrsan@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
Исследовано влияние низкоэнергетической ионной бомбардировки на рост тонких пленок, получаемых плазменным распылением при низких температурах подложки. Получены зависимости толщины, плотности, параметров кристаллической структуры и электропроводности пленок от напряжения смещения на подложке в процессе их роста в условиях высокочастотного (ВЧ) распыления. При смещении от 0 до -30 V пленки никеля Ni формировались поликристаллическими, при более высоком смещении - с аксиальной текстурой (111). При смещении -60 V получены пленки Ni с плотностью, близкой к плотности массивного образца, и максимальным кристаллическим упорядочением. При дальнейшем увеличении смещения плотность пленок уменьшалась в результате врастания атомов аргона и остаточных газов. Аналогичная зависимость плотности от смещения наблюдалась и для аморфных пленок бинарных сплавов d-f-металлов. Максимальную плотность в этом случае имели пленки, полученные при смещении -40 V.
- Akazava H. // J. Appl.Phys. 1996. Vol. 79 (12). P. 9396
- Глейтер Г., Чалмерс Б. Большеугловые границы зерен. Пер. с англ. М.: Мир, 1975. 376 с
- Shindo W., Ohmi T. // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 79 (5). P. 2347--2351
- Morgan S.P., Morgan D.V. // Thin Solid Films. 1996. Vol. 272. N 1. P. 107--111
- Yu L.S., Harper J.M.E., Cuomo J.J. et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1986. A 4 (3). P. 443--447
- Lesler K.G., Sonnenberg N., Cima M.J. // J. Electron. Mater. 1996. Vol. 25. N 1. P. 35--42
- Iijima Y., Onabe K., Futaki N. et al. // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 74 (3). P. 1905--1911
- Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л. Майсела, Р. Глэнга. Пер. с англ. М.: Сов. радио, 1977. Т. 1. 662 с
- Nakagawa A., Sugiura M., Okabe Y. // Jap. Appl. Phys. 1991. Vol. 30. N 6A. P. L993--L996
- Li L., Nowak W.B. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. Vol. 12 (4). P. 1587--1594
- Misra A., Nastasi M. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. N 20. P. 3123--3125
- Chiu K.-F., Blamire M.G., Barber Z.H. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. Vol. 17 (5). P. 2891--2895
- Наумов В.В., Бочкарев В.Ф., Трушин О.С. // Неорган. материалы. 1998. Т. 34. N 1. С. 57--61
- Рентгенофлуоресцентный анализ / Под ред. Н.Ф. Лосева. Новосибирск: Наука, 1991. 176 с
- Трушин О.С., Бочкарев В.Ф., Горячев А.А. и др. // Зав. лаб. 2000. Т. 66. N 10. С. XXX
- Тойберт П. Оценки точности результатов измерений. М.: Энергоатомиздат, 1988. 88 с
- Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Расторгуева. М.: Энергоатомиздат, 1991. С. 99
- Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 324 с
- Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с
- Stricklan B., Roland C. // Phys. Ref. B. 1995. Vol. 51. N 8. P. 5061--5064
- Бочкарев В.Ф., Горячев А.А., Наумов В.В. // А.С. N 2046840. 1995
- Физика тонких пленок / Под ред. Г. Хасса, Р.Э. Туна. М.: Мир, 1970. Т. IV. 440 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
