Прямое сращивание кремниевых пластин с одновременным формированием диффузионных слоев
Грехов И.В., Костина Л.С., Аргунова Т.С., Белякова Е.И., Шмидт Н.М., Костин К.Б., Ким Е.Д., Ким С.Ч.1
1Power Semiconductor Research Laboratory, Korea Electrotechnology Research Institute, P.O. Box 20, Changwon, 641-600 Gyongnam, Republic of Korea
Email: argunova@tania.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.
Исследованы Si-Si структуры, изготовленные по предложенной авторами технологии создания диффузионных слоев в едином технологическом цикле с процессом прямого сращивания кремния из источника, находящегося на границе сращивания. В качестве легирующей примеси использовался алюминий. Диффузия атомов Al в полированную поверхность кремния при высокотемпературной термообработке в окисляющей среде приводила к образованию pn-перехода в n-кремнии. Показано, что присутствие алюминия на интерфейсе способствовало формированию непрерывной границы раздела. Для объяснения предложена модель, согласно которой соединение гидрофильных поверхностей пластин кремния в водном растворе нитрата алюминия Al(NO3)3 приводит к увеличению площади сцепления пластин при комнатной температуре за счет взаимодействия Al-OH групп с молекулами воды, адсорбированными на поверхности пластин.
- Tong Q.-Y., Gosele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology. New York: John Wiley \& Sons. Inc., 1999. 297 p
- Bengtsson S.J. // Electron. Mater. 1992. Vol. 21. N 8. P. 841--862
- Plob l A., Krauter G. // Mater. Sci. \& Eng. 1999. Vol. R25. N 1--2. P. 1--88
- Maszara W.P., Jiang B.-L., Yamada A. et al. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. N 1. P. 257--260
- Аргунова Т.С., Витман Р.Ф., Грехов И.В. и др. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 11. С. 1953--1962
- Argunova T.S., Grekhov I.V., Kostina L.S. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37. N 12A. P. 62
- Грехов И.В., Берман Л.С., Аргунова Т.С. и др. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 12. С. 14--18
- Bowen D.K., Tanner B.K. High Resolution X-ray Diffractometry and Topography. Bristol: Taylor \& Francis, 1998. 251 p
- Stengl R., Tan T., Gosele U. // Jap. J. Appl. Phys. 1989. Vol. 28. N 10. P. 1735--1741
- Ohring M. The Material Science and Thin Films. Acad. Press Limited, 1991. 703 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
