"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование структурного совершенства, распределения и перераспределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B
Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Сарайкин В.В., Слепнев Ю.В., Шагимуратов Г.И., Имамов Р.М., Пашаев Э.М.1
1Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста.
  • Wang W.I., Mendez E.E., Kuan T.S., Esaki L. // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 47. P. 826
  • Piazza F., Pavesi L., Henin M., Johnston D. // Semicond. Sci Technol. 1992. N 7. P. 1504
  • Мокеров В.Г., Галиев Г.Б., Слепнев Ю.В., Хабаров Ю.В. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 1320
  • Okano Y., Seto H., Katahama H. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1989. Vol. 28. N 2. P. L151
  • Kadoya Y., Sato A., Kano H. // J. Cryst. Growth. 1991. Vol. 111. P. 280
  • Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Слепнев Ю.В. и др. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 7. С. 68
  • Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Медведев Б.К. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. N 10. С. 1168
  • Jansen Ph., Meuris M., Van Rossum M., Borgs G. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. P. 3766
  • Schubert E.F., Stark J.B., Chiu T.H., Tell B. // Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 53. P. 293
  • Lee K.H., Stevenson D.A., Deal M.D. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. P. 4008
  • Paves L., Ky N.H., Ganiere J.D. et al. // J. Appl. Phys. 1992. Vol. 71. P. 2225
  • Beall R.B., Clegg J.B., Harris J.J. // Semicond. Sci. Technol. 1988. Vol. 3. P. 612
  • Lanzillotto A.-M., Santos M., Shayegan M. // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 55. P. 1445
  • Greiner Mark E., Gibbons J.F. // Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 44. P. 750
  • Ishitani A., Karen A., Nakagawa Y. et al. // Proc. SIMS VIII. Amsterdam: International Congress Centre RAI, 1991. P. 315
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.