Вышедшие номера
Лазерная имплантация и диффузия магния в кремний
Арутюнян В.М.1,2, Ахоян А.П.1,2, Адамян З.Н.1,2, Барсегян Р.С.1,2
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
2(Aroutiounian)
Email: vladimir@www.physdep.r.am
Поступила в редакцию: 21 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Представлены экспериментальные результаты лазерно-стимулированной диффузии ("имплантации") атомов магния в кремний. Показано, что облучение неодимовым лазером (lambda=1.06 mum, tau~ 0.4 ms) приводит к увеличению растворимости и коэффициента диффузии магния в кремний. Исследованы вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики, а также спектры термостимулированных токов кристаллов <Si + Mg>.
  1. Гаспарян Ф.В., Адамян З.Н., Арутюнян В.М. Кремниевые фотоприемники. Ереван: ЕГУ, 1989. 362 с
  2. Фистуль В.И., Павлов А.М. // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 5. С. 854--858
  3. Хайбулин И.Б., Смирнов Л.С. // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 569--591
  4. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М., 1982. 208 с
  5. Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 11. С. 1945--1966
  6. Chen J.W., Milnes A.G. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1980. Vol. 10. P. 157
  7. Ohta E. and M. Sakata // Solid-State Electron. 1979. Vol. 22. P. 677
  8. Liu A.L. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. P. 6989
  9. Kleverman M., Bergman K., Grimmeis H.G. // Semicond. Sci. Technol. 1986. Vol. 1. P. 49
  10. Janzen E., Sterdman R., Grossman G. Grimmeis H.G. // J. Phys. Rev. 1984. Vol. 29B. P. 1099
  11. Wang J., Wood R., Pronko P. // Appl. Phys. Lett. 1978. Vol. 33. P. 455
  12. Hensen M., Anderko K. Constitutions of Binary Alloys. New York: McGraw-Hill Book Company, Inc., 1958. P. 1488
  13. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961. 462 с
  14. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. // ФТТ. 1982. Т. 24. Вып. 7. С. 2170--2176
  15. Стрекалов В.Н. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 2. С. 361--363
  16. Вихнин В.С., Шейнкман М.К. // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 9. С. 1577--1584
  17. Павлов Л.В. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. 240 с
  18. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.