Вышедшие номера
Физические закономерности двойникования при воздействии внешних ортогональных друг другу электрических и магнитных полей, прикладываемых к монокристаллам висмута, облученных ионами бора
Остриков О.М.1
1Мозырский государственный педагогический институт, Мозырь, Гомельская область, Белоруссия
Поступила в редакцию: 1 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

Исследовалось влияние импульсов электрического тока длительностью 10-5 s и плотностью до 60 A/mm2 при наличии внешнего магнитного поля величиной 0.2 T на поведение ансамблей клиновидных двойников в монокристаллах висмута, облученных ионами бора энергией 25 keV, дозой 1017 ion/cm2. Установлено, что как облучение ионами, так и пропускание через кристалл импульсов тока при действии магнитного поля ведут к стимуляции подвижности двойникующих дислокаций. Дан вывод условия равновесия двойникующих дислокаций в имплантированном веществе при пропускании через него электрического тока и одновременном действии внешнего магнитного поля.