Вышедшие номера
Взаимодействие света с тонкой пленкой полупроводника при учете эффекта концентрационного усиления дипольного момента экситонного перехода
Хаджи П.И.1, Федоров Л.В.1
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
Поступила в редакцию: 13 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Изучены особенности нелинейного пропускания ультракоротких импульсов резонансного лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в экситонной области спектра при учете экситон-фотонного взаимодействия и эффекта концентрационного усиления дипольного момента экситонного перехода. Показано, что в условиях точного резонанса пленка пропускает только передний фронт падающего прямоугольного импульса, а оставшуюся часть полностью отражает. При отличной от нуля расстройке резонанса существует остаточное пропускание. Предсказан ряд возможностей преобразования гауссовских импульсов. Найдены уравнения состояния для стационарного бистабильного пропускания (отражения) и исследована устойчивость полученных решений. Сформулирована теорема площадей, которая предсказывает ограничение площадей проходящих импульсов сверху: площади проходящих импульсов не могут превосходить pi/2.