"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Взаимодействие света с тонкой пленкой полупроводника при учете эффекта концентрационного усиления дипольного момента экситонного перехода
Хаджи П.И.1, Федоров Л.В.1
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
Поступила в редакцию: 13 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Изучены особенности нелинейного пропускания ультракоротких импульсов резонансного лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в экситонной области спектра при учете экситон-фотонного взаимодействия и эффекта концентрационного усиления дипольного момента экситонного перехода. Показано, что в условиях точного резонанса пленка пропускает только передний фронт падающего прямоугольного импульса, а оставшуюся часть полностью отражает. При отличной от нуля расстройке резонанса существует остаточное пропускание. Предсказан ряд возможностей преобразования гауссовских импульсов. Найдены уравнения состояния для стационарного бистабильного пропускания (отражения) и исследована устойчивость полученных решений. Сформулирована теорема площадей, которая предсказывает ограничение площадей проходящих импульсов сверху: площади проходящих импульсов не могут превосходить pi/2.
  • Хаджи П.И. Нелинейные оптические процессы в системе экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1985. 231 с
  • Хаджи П.И., Шибаршина Г.Д., Ротару А.Х. Оптическая бистабильность в системе когерентных экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1988. 121 с
  • Рупасов В.И., Юдсон В.И. // Квантовая электрон. 1982. Т. 9. С. 2179. ЖЭТФ. 1987. Т. 93. С. 494
  • Захаров С.М., Маныкин Э.А. // Поверхность. 1988. N 2. С. 137. Поверхность. 1989. N 7. С. 68. ЖЭТФ. 1989. Т. 95. С. 800. ЖЭТФ. 1994. Т. 105. С. 1053
  • Бенедикт М.Г., Зайцев А.И., Малышев В.А., Трифонов Е.Д. // Опт. и спектр. 1990. Т. 68. С. 812
  • Захаров С.М., Маймистов В.А., Маныкин Э.А. и др. // Поверхность. 1989. N 12. С. 60
  • Самсон А.М., Логвин Ю.А., Туровец С.И. // Квантовая электрон. 1990. Т. 17. С. 1223
  • Логвин Ю.А., Самсон А.М., Туровец С.И. // Квантовая электрон. 1990. Т. 17. С. 1521
  • Хаджи П.И., Гайван С.Л. // ЖЭТФ. 1995. Т. 108. N 11. С. 1831--1840. Квантовая электрон. 1995. Т. 22. N 9. С. 929--932. Там же. 1996. Т. 23. N 5. С. 451--454. Там же. 1996. Т. 23. N 9. С. 837--840. Там же. 1997. Т. 24. N 6. С. 532--535
  • Давыдов А.С. Физика твердого тела. М.: Наука, 1976
  • Ou F., Wei B.H., Yu K.W., Liu C.H.J. // Phys.: Condens. Matter. 1996. Vol. 8. P. 2957
  • Abram I. // Phys. Rev. 1983. Vol. B28. P. 4433
  • Хаджи П.И. Кинетика рекомбинационного излучения экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1977. 243 с
  • Москаленко С.А. Введение в теорию экситонов большой плотности. Кишинев: Штиинца, 1983. 303 с
  • Аллен Л., Эберли Дж. Оптический резонанс и двухуровневые атомы. М.: Мир, 1979
  • Полуэктов И.А., Попов Ю.М., Ройтберг В.С. // УФН. 1974. Т. 114. N 1. С. 87--131
  • Алексеев В.А., Зельдович Б.Я. // Квантовая электрон. 1975. Т. 2. N 5. С. 1078--1080
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.