Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об аномальном условии реализации оптической бистабильности на основе температурной зависимости коэффициента поглощения полупроводника
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 1 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Показана принципиальная возможность трехкратного увеличения температуры термостата, при которой реализуется абсорбционная оптическая бистабильность по сравнению с величиной, традиционно записываемой в работах, посвященных исследованию оптической бистабильности. Данный результат достигается в полупроводниках в случае оже-рекомбинации свободных электронов.
- Гиббс Х. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света. М.: Мир, 1988. 518 с
- Transverse Pattens in Nonlinear Optics / Ed. N.N. Rozanov. Proc. SPIE. 1992. Vol. 1840
- Оптические вычисления / Под ред. Р. Арратуна. М.: Мир, 1993. 441 с
- Розанов Н.Н. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах. М.: Наука, 1997. 334 c
- Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 558 с
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 685 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
