Электролюминесценция ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния
Барабан А.П.1, Коноров П.П.1, Малявка Л.В.1, Трошихин А.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.
Исследовались особенности электролюминесценции в ионно-имплантированных (имплантация ионов Ar осуществлялась в объем окисного слоя) и ионно-синтезированных (выполненных по технологии SIMOX) структурах Si-SiO2. Электролюминесценция регистрировалась в диапазоне 250-800 nm в системе электролит-диэлектрик-полупроводник при комнатной температуре. Установлено, что в результате ионной имплантации в объеме окисного слоя увеличивается концентрация существующих и происходит образование новых люминесцентных центров. Предложены природа центров и модели их образования.
- Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 360 с
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: изд-во ЛГУ, 1988. 304 ч
- Garido B., Samitier J., Bota S. et al. // J. Non-Cristalline Solids. 1995. Vol. 187. P. 101--105
- Skuja L.N., Streletsky A.N., Pakovich A.B. // Sol. St. Commun. 1984. Vol. 50. N 12. P. 1069--1072
- Skorupa W., Yankov R.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. N 17. P. 2410--2412
- DiMaria D.J., Kirtley J.R. et al. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 56. N 2. P. 401--416
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
