Вышедшие номера
Сенсор на основе структуры Pt/LaF3/SiO2/SiC для детектирования хлорофтороуглеродов
Филиппов В.И.1, Васильев А.А.1, Терентьев А.А.1, Моритц В.2, Рот У.2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Университет им. Гумбольдта, Берлин, ФРГ
Поступила в редакцию: 22 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

В качестве газового сенсора рассмотрена структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе карбида кремния с подзатворным слоем из твердого электролита LaF3. Исследована кинетика изменения напряжения плоских зон структуры Pt/LaF3/SiO2/SiC при взаимодействии с хлорофтороуглеродами (фреонами) в температурном интервале от 300 до 530oC. Из температурных зависимостей скорости отклика сенсора при воздействии различных фреонов оценены величины энергий активации газочувствительности. Показана возможность детектирования всех изученных в работе хлорофтороуглеродов на уровне концентраций 10 ppm в воздухе.