Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физическая модель эволюции дефектной системы карбида кремния с учетом внутренних полей упругих напряжений при имплантации ионами Al⁺ и N⁺ и последующем отжиге

Куликов Д.В.¹, Трушин Ю.В.¹, Рыбин П.В.¹, Харламов В.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 20 ноября 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Предполагается теоретическое рассмотрение образования и развития дефектов в карбиде кремния, имплантированном ионами азота и алюминия, а затем отожженного. Учитываются диффузия дефектов, комплексообразование, влияние внутренних полей упругих напряжений, созданных имплантированными ионами и образовавшимися комплексами, на миграцию межузлий. Получено удовлетворительное согласие расчетных распределений дефектов с экспериментальными данными. Численно оценены некоторые кинетические параметры карбида кремния.

Harris G.L. Properties of Silicon Carbide. London: INSPEC, 1995. 339 p
Shenai K., Scott R.S., Baliga B.J. // IEEE Trans. Elec. Dev. 1989. Vol. 36. P. 1811--1820
Ruff M., Mitlehner H., Helbig R. // IEEE Trans. Elec. Dev. 1994. Vol. 41. P 1040
Pensl G., Troffer Th. // Solid State Phenomena. 1996. Vol. 47--48. P. 115
Choyke W.J., Pensl G. // MRS Bulletin. 1997. N 3. P 25
O'Connor J.R., Smilttens J. Silicon Carbide, a High-Temperatures Semiconductor. New York: Pergamon, 1960. 435 p
Davis R.F., Kelner G., Shur M., Palmour J.W., Edmond J.A. // Proc. IEEE. 1991. Vol. 79. P. 677-689
Powell J.A., Neudeck P.G., Matus L.G., Petit J.B. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1992. Vol. 242. P. 495--501
Verma A., Krishna P. Polymorphism and Polytypism in Crystals. New York: Wiley, 1966. 233 p
Pirouz P., Yang J.W. // Ultramicroscopy. 1993. Vol. 51. P. 189--197
Heera V., Skorupa W. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. Vol. 438. P. 241--252
Edgar J.H. // J. Mater. Res. 1992. Vol. 7. N 1. P. 235--245
Wesch W. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1996. Vol. 116. P. 305--315
Fisher G.R., Barnes P. // Phylos. Mag. B. 1990. Vol. 61. P 217--228
Evino P., Li J., Huntz A.M., Chaumont J. // Mater. Sci. Eng. B. 1992. Vol. 11. P 331--344
Dunbar P., Birnie P. // J. Amer. Ceram. Soc. 1986. Vol. 69. P. 33--40
Константинов А.О. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 2. С. 270--282
Huang H., Chonien N. // J. Nucl. Mater. 1994. Vol. 212--215. P. 148--155
Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. // ФТП. 1969. Т. 11. С. 519--530
Kroto L.J., Mitnes A.G. // Sol. St. Electron. 1996. Vol. 9. P. 1125--1134
Spitznagel J.A., Wood S., Choyke W.J. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1986. Vol. 16. P. 237--245
Davis R.F. // Thin Solid Films. 1989. Vol. 181. P. 1--10
Edmond J.A., Withrow S.P., Kong H.S., Davis R.F. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. Vol. 51. P. 395--404
Mc Hargue C.J., Williams J.M. // Nucl. Instr. Meth. B. 1993. Vol. 80/81. P. 889--900
Fohl A., Emrick R.M., Carstanjen H.D. // Nucl. Instr. Meth. B. 1992. Vol. 65. P 335--347
Mc Hargue C.J., Joslin D.L., Williams J.M. // Nucl. Instr. Meth. B. 1990. Vol. 46. P. 185--193
Derst G., Wilbertz C., Bhatia K.L., Kratshmer W., Kalbitzer S. // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 54. P. 1722--1725
Wendler E., Heft A., Zammit U. et al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1996. Vol. 116. P. 396--406
Wesch W., Heft A., Heindl J. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1995. Vol. 106. P. 339--351
Petzold J., Kalnin A.A., Moskwina D.R., Savelyev W.D. // Nucl. Instr. Meth. B. 1993. Vol. 80/81. P. 8943--8951
Perez-Rodrigez A., Pacaud Y., Calvio-Barro L. et al. // J. Electr. Mater. 1996. Vol. 25. P. 541--552
Pacaud Y., Stoemenos J., Brauer G. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 177--185
Pacaud Y., Skorupa W., Stoemenos J. // Nucl. Instr. Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 181--190
Gardner J., Rao M.V., Holland O.W. et al. // J. Electr. Mater. 1996. Vol. 25. P. 885--894
Glaser E., Heft A., Heindl J. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1996. Vol. 142. P. 557--563
Toda T., Yagi K., Koga K., Yoshida K., Niina T. // Proc. 6^th ICSCRM. IOPC. Ser. 142. IOP Publ., 1996. P. 545--551
Ahmed S., Barbero C.J., Sigmon T.W. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 6194--6201
Behar M., Fichtner P.F.P., Grande P.L., Zawislak F.C. // Mater. Sci. Eng. 1995. Vol. 15. P. 1--9
Heera V., Stoemenos J., Kogler R., Skorupa W. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P 2999--3006
Albertazzi E., Lulli G. // Nucl. Instr. Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 147--155
Neudeck P.G. // J. Electr. Mater. 1995. Vol. 24. P. 283--289
Culter B., Viber P.D., Rafaniello W. et al. // Nature. 1978. Vol. 275. P. 434--438
Rafaniello W., Cho K., Yrkar Y. // J. Mater. Sci. 1981. Vol. 16. N 1. P. 3--11
Zangvil A., Ruh R. // J. Amer. Ceram. Soc. 1988. Vol. 71. P. 884--892
Kern R.S., Tanaka S., Davis R.F. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1994. Vol. 137. P. 389--395
Yankov R.A., Hatzopoulos N., Fukarek W. et al. // Mat. Res. Symp. Proc. 1997. Vol. 438. P. 271--276
Pezoldt J., Yankov R.A., Fukarek W. et al. // Proc. 39^th Electronic Materials Conf. Colorado (USA), 1997. To be publ. in J. Electron. Mater
Янков Р.А., Фельскон М., Крайссиг У. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 16. С. 6--14
Kharlamov V.S., Kulikov D.V., Truschin Yu.V. et al. // Program and Abstracts of International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97 (Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering). St. Petersburg, 1997. P. C2--C13
Truschin Yu.V., Yankov R.A., Kharlamov V.S. et al. // Material Science Forum. 1998. Vol. 264--268. P. 757--760
Yankov R.A., Fukarek W., Voelskow M. et al. // Materials Science Forum. 1998. Vol. 264--268. P. 753--756
Truschin Yu.V. Theory of Radiation Processes in Metal Solid Solutions. New York: Nova Science Publishers Inc., 1996. 405 p
Куликов Д.В., Трушин Ю.В., Янков Р.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 24. Вып. 1. С. 39--44
Kulikov D.V., Pezoldt J., Rybin P.V. et al. // Program and Abstract of International Workshop on New Approaches to HiTech Materials 98 (Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering). St. Petersburg, 1998. P. E7
Kulikov D.V., Suris R.A., Truschin Yu.V. // Supercond. Sci. \& Techn. 1995. Vol. 8. P. 303--310.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель