Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства и структура пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs c ориентациями (100), (111)A, (111)B методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Галиев Г.Б.¹, Мокеров В.Г.¹, Слепнев Ю.В.¹, Хабаров Ю.В.¹, Ломов А.А.², Имамов Р.М.²

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 9 марта 1998 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом двухкристальной и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии исследовано структурное совершенство эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B. Выявлено сильное влияние отношения молекулярных потоков мышьяка и галлия gamma на структурное свойство эпитаксиальных пленок. Определены оптимальные значения параметра gamma для каждой из ориентаций подложек (100), (111)A и (111)B.

Bose S.S., Lee B., Kim M.H., Stillman G.E. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 63. P. 743
Wang W.I., Marks R.F., Vina L. // J. Appl. Phys. 1986. Vol. 59. P. 937
Subbanna S., Kroemer H., Merz I.L. // J. Appl. Phys. 1986. Vol. 59. P. 488
Okano Y., Seto H., Katahama H. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1989. Vol. 28. P. L151
Okano Y., Shigeta M., Seto H. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1990. Vol. 29. P. L1357
Piazza F., Pavesi L., Henini M., Johnston D. // Semicond. Sci. Technol. 1992. N 7. P. 1504
Pavesi L., Henini M., Johnston D. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 66. P. 2846
Афанасьев А.М., Александров П.А., Имамов Р.М. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука, 1989. С. 151

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель