Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительность гетеропереходов GaAs : N(GaP : N)/GaAs(GaP) в линейно поляризованном излучении

Иванов-Омский В.И.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследований фотоэлектрических свойств гетеропереходов (ГП) азотированный слой/GaAs (GaP), полученных плазменной обработкой кристаллов GaAs и GaP в присутствии ионов азота. Обнаружен широкополосный характер фоточувствительности ГП по отношению к интенсивности естественного излучения. Установлено, что при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность азотированных слоев возникает поляризационная фоточувствительность, которая контролируется углом падения Theta и растет пропорционально Theta². Полученные спектральные зависимости наведенного фотоплеохроизма связываются с антиотражающими свойствами широкозонных слоев. Гетеропереходы на основе азотированных слоев могут применяться в качестве широкополосных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.

Агекян В.Ф., Иванов-Омский В.И., Князевский и др. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 10. С. 1203--1205
Арсенид галлия / Под ред. Ф.П. Кесаманлы, Д.Н. Наследова. М.: Наука, 1975. 353 с
Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. Справочник. М.: Наука, 1978. 339 с
Рудь Ю.В.// Изв. вузов. Физика. 1986. Т. 29. N 8. С. 68--83
Рудь В.Ю.// Автореф. канд. дис. Санкт-Петербург, 1995. 17 с
Konnikov S.G., Rud' V.Yu., Rud' Yu.V. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. Vol. 32. Suppl. 32-3. P. 515--518
Azzam R.M., Bashara N.M. Ellipsometry and Polarized Light. Amsterdam; New York: Holland Publishing Company, 1977. 584 p
Жиляев Ю.В., Назаров Н., Рудь В.Ю. и др. // ФТП. 1993. Т. 27. С. 1610--1616
Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Плешка В.Н. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 2. С. 241--245
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.// ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 2. С. 241--245
Вальтер Т., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шок Г.В.// ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 7. С. 806--810
Medvedkin G.A., Rud' Yu.V.// Phys. St. Sol. (a). Vol. 67. N 1. P. 333--336

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель