Вышедшие номера
Фоточувствительность гетеропереходов GaAs : N(GaP : N)/GaAs(GaP) в линейно поляризованном излучении
Иванов-Омский В.И.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Представлены результаты исследований фотоэлектрических свойств гетеропереходов (ГП) азотированный слой/GaAs (GaP), полученных плазменной обработкой кристаллов GaAs и GaP в присутствии ионов азота. Обнаружен широкополосный характер фоточувствительности ГП по отношению к интенсивности естественного излучения. Установлено, что при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность азотированных слоев возникает поляризационная фоточувствительность, которая контролируется углом падения Theta и растет пропорционально Theta2. Полученные спектральные зависимости наведенного фотоплеохроизма связываются с антиотражающими свойствами широкозонных слоев. Гетеропереходы на основе азотированных слоев могут применяться в качестве широкополосных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.