"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективность возбуждения волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре одиночным полосковым барьером Шоттки
Михайлов А.И.1, Сергеев С.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 8 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Приводятся результаты теоретического анализа влияния различных факторов на эффективность возбуждения волн пространственного заряда (ВПЗ) в тонкопленочных полупроводниковых структурах одиночным полосковым барьером Шоттки (БШ). Показано, что для повышения эффективности преобразования СВЧ сигнала в ВПЗ целесообразно использовать БШ с малым значением контактной разности потенциалов, а ширина БШ и концентрация электронов в пленке должны быть оптимизируемыми параметрами.
  • Барыбин А.А. и др. // Микроэлектроника. 1979. Т. 8. Вып. 1. С. 3--19
  • Иванченко В.А., Михайлов А.И. // Сб. тез. докл. Всесоюз. совещания "Электроника: преобразователи информации". М.; Нижний Новгород, 1991. С. 12--14
  • Михайлов А.И. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 21. С. 89--95
  • Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1995. Т. 38. N 9--10. С. 43--51
  • Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 24. С. 75--78
  • Kumabe K., Kande H. // Int. J. Elektronics. 1985. Vol. 58. N 4. P. 587--611
  • Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975. 288 с
  • Rees H.D. // Sol. St. Commun. 1969. Vol. 7. N 2. P. 267--269
  • Михайлов А.И. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 6. С. 28--30
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.