"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Об особенностях образования радиационных дефектов в кремниевых структурах
Махкамов Ш.1, Турсунов Н.А.1, Ашуров М.1, Саидов Р.П.1, Мартынченко С.В.1
1Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 24 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Методом емкостной спектроскопии исследованы особенности образования радиационных дефектов в кремниевых диффузионных p+-n-структурах при облучении ускоренными электронами. Показано, что при толщинах базы p+-n-структур 0.2--0.6 mm наблюдается существенное изменение концентрации образующихся радиационных дефектов с максимумом при 0.25 mm. При уменьшении толщины базы менее 0.2 mm или увеличении более 0.6 mm концентрация радиационных дефектов имеет слабую зависимость от толщины. Наблюдаемый эффект объяснен изменением соотношений концентрации вакансии и междоузельных атомов кремния в базе при формировании p+-n-структур.
  • Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1980. 296 с
  • Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные дефекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 312 с
  • Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Под ред. Е.А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980. 224 с
  • Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1976. 232 с
  • Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с
  • Вавилов В.С., Глазман В.Б., Исаев Н.У., Мукашев Б.Н., Спицын А.В. // ФТП. 1974. Т. 8. Вып. 3. С. 471--475
  • Золотухин А.А., Милевский Л.С. // ФТП. 1972. Т. 6. Вып. 11. С. 2240--2242
  • Добровинский Ю.М., Махкамов Ш., Мирзаев А. и др. // ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 3. С. 523--528
  • Золотухин А.А., Коваленко А.К., Мещерякова Г.М. и др. // ФТП. 1975. Т. 9. Вып. 6. С. 1201--1202
  • Махкамов Ш., Маманова М., Пахаруков Ю.В., Турсунов Н.А. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 24. С. 44--48
  • Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Панов В.И., Смирнов Л.С. // ФТП. 1971. Т. 5. Вып. 8. С. 1644--1646
  • Nicollian E.N., Brews J.R. MOS Physics and Technology. New York: Wiley, 1982
  • Выжигин Ю.В., Соболев Н.А., Грессеров Б.П., Шек Е.И. // ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 8. С. 1324--1331
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.