Влияние профиля легирования на пробивные напряжения коллекторного перехода в планарных n-p-n-транзисторах
Самойлов Н.А.1, Фролов А.Н.1, Шутов С.В.1
1Херсонский индустриальный институт, Херсон, Украина
Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Изготовлены планарные n-p-n-транзисторы с различными профилями распределения базовой примеси и изучены их электрические параметры. На основании анализа экспериментальных данных предложено выражение для расчета напряжения пробоя перехода коллектор-база. Показано, что применение плавного p-n-перехода приводит к увеличению значений пробивных напряжений коллекторных переходов планарных n-p-n-транзисторов.
- Гребен А.В. Проектирование аналоговых интегральных схем. М.: Энергия, 1976. 435 с
- Sze S.M., Gibbons G. // Sol. St. Electron. 1966. Vol. 9. N 9. P. 831--845
- Goetzberger A., McDonald B., Haitz R.H., Scarlett R.M. // J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34. N 6. P. 1591--1600
- Kao L.C., Wolley E.D. // Proc. IEEE. 1967. Vol. 55. N 6. P. 1409--1414
- Харченко В.В. Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем. Ташкент: ФАН, 1989. 168 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
