"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах
Степанов В.А.1
1Государственный научный центр "Физико-энергетический институт", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 27 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

При радиационных воздействиях на твердые тела возникает состояние микроскопической неравновесности, связанное с отклонением функции распределения атомов по энергии колебаний от термодинамически равновесной. Получены выражения для неравновесной функции распределения и частот активационных переходов атомов из потенциальной ямы. Показано, что радиационное стимулирование диффузионных процессов связано с отклонением температурных зависимостей для частот переходов атомов из положений равновесия от аррениусовского закона. В условиях допороговых радиационных воздействий скорость диффузионных процессов больше для атомов, термализация колебаний которых происходит на больших временах, и линейно зависит от интенсивности облучения. В условиях запороговых радиационных воздействий сравнение расчетных и экспериментальных температурных зависимостей коэффициента диффузии позволяет определять характеристики каскадных областей в твердых телах --- размеры и энергию возбуждения колебаний атомов.
  • Инденбом В.Л. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. Вып. 8. С. 489--492
  • Gieb M., Heieck J., Schule W. // J. Nuc. Mat. 1995. Vol. 225. P. 85--96
  • Лущик Б., Витол И.К., Эланго М.А. // УФН. 1977. Т. 122. N 2. С. 223--251
  • Эланго М.А. Элементарные неупругие радиационные процессы. М.: Наука, 1988. 150 с
  • Мак В.Т. // ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 3. С. 173--176
  • Batnagar P.L., Gross E.P., Krook M. // Phys. Rev. 1954. Vol. 94. P. 511--515
  • Gross E.P., Krook M. // Phys. Rev. 1956. Vol. 102. P. 593--596
  • Stepanov V.A. // Laser Surface Microprocessing. Proc. SPIE. 1990. Vol. 1352. P. 208--209
  • Corbett J.W., Bourgoin J.C. Point Defects in Solids. Vol. 2. Semiconductors and Molecular Crystals / Ed. J.H. Crawford, L.M. Slifkin. New York; London: Plenum Press, 1975. P. 1--161
  • Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
  • Мак В.Т. // Неорган. материалы. 1996. Т. 32. N 10. С. 1184--1186
  • Чернов И.П., Мамонтов А.П., Тюрин Ю.И., Черданцев Ю.П. // Тез. докл. VIII конф. по радиационным физ. и хим. неорганическим материалам. Томск, 1993. Ч. 1. С. 124
  • Ахиезер И.А., Давыдов Л.Н. Введение в теоретическую радиационную физику металлов и сплавов. Киев: Наукова думка, 1985. 142 с
  • Macht M.P., Muller A., Naundorf V., Wollehberger H. // Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. 1986. N B16. P. 148--153
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.