Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование некоторых гетерогенных процессов полупроводниковой технологии

Зон Б.А.¹, Ледовский С.Б.¹, Лихолет А.Н.¹

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Поступила в редакцию: 9 декабря 1996 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

PDF версия

Поставлены и решаются две задачи: диффузия в двухфазной системе с движущейся границей раздела и учет конечной скорости реакции при образовании новой фазы. Для нахождения численных решений использован вариационный метод, что имеет ряд преимуществ для практики.

Fundamentals of Silicon Integrated Device Technology. Vol. 1. Oxidation, Diffusion and Epitaxy / Ed. R.M. Burger, R.P. Donovan. New Jersey: Prentice Hall, 1967. (Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия / Под ред. Р. Бургера, Р. Донована. М.: Мир, 1969)
Thin films --- interdiffusion and reactions / Ed. J.M. Poate, K.N. Tu, J.M. Mayer. New Jersey, 1978. (Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, 1982)
Murarka S.P. Silicides for VLSI Applications. Academic Press, New York: 1983. (Пер. Ш. Мюрарка. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986)
Маслов В.П., Данилов В.Г., Волосов К.А. Математическое моделирование процессов тепломассопереноса. М.: Наука, 1987
Muller R.S., Kamins T.I. Devise Electronics for Integrated Circuits. John Wiey \& Sons, New Jork, 1986. (Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М.: Мир.: 1989)
Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Б.И. // Поверхность. Физика, Химия, Механика. 1982. N 2. С. 1
Васильев С.В., Герасименко Н.Н. // Поверхность. Физика, Химия, Механика. 1986. N 7. С. 57
Лобов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1975
Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. 4-е изд. М.: Наука, 1972
Gas P., Scilla G., Michel A. et al. // Appl. Phys. 1988. Vol. 63. N 11. P. 5335
Writtmer M., Ting C.Y., Tu K.N. // Thin. Sol. Films. 1983. Vol. 104. P. 191
Wei C.J., Katz W., Smitz C. // Thin. Sol. Films. 1983. Vol. 104. P. 215
Writmer M., Seidel T.E. // Appl. Phys. 1988. Vol. 49. N 12. P. 5827
Ohdomari I., Tu K.N., Sugaro K. et al. // Appl. Phys. Lett. 1981. Vol. 38. N 12. P. 1015
Thornton P.L. // Electron Lett. 1981. Vol. 17. N 14. P. 480

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель