Было изучено влияние облучения электронами на стойкость резиста NOVER-1 к ионно-лучевому травлению. Для травления использовались ионы Ar с энергиями от 300 до 2500 eV. Было обнаружено, что в зависимости от энергии ионов и угла их падения на поверхность резиста электронное облучение может приводить как к ускорению, так и к замедлению травления NOVER-1. Наблюдается четкая корреляция между глубиной проникновения ионов в резист и характером влияния облучения электронами на стойкость резиста к травлению. При энергии ионов больше 500 eV (глубина проникновения ионов >~=3.5 nm) стойкость уменьшается, при небольших дозах электронного облучения проходит через минимум и возвращается к скорости травления исходного резиста при больших дозах электронного облучения. При скользящих углах травления (~70^o к нормали поверхности) и малой энергии ионов (300 eV), т. е. при малой глубине проникновения ионов (=<sssim2.5 nm), облученный электронами резист травится медленнее исходного во всем диапазоне исследованных доз электронного облучения. Этот эффект может быть использован для структур в резисте с высотой больше ширины с целью увеличения их стойкости, которая в данном случае определяется преимущественно скоростью травления наклонных фасеток.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.