Экспериментально исследовано явление инверсии знака фототока в структурах n-p-CdSiAs₂ и Сu-n-CdGeP₂-Сu в зависимости от напряжения смещения при освещении естественным и линейно поляризованным излучением. Показано, что энергетическое положение точки инверсии знака фототока определяется геометрией освещения структур и контролируется величиной напряжения смещения. Установлен эффект резкого нарастания коэффициента естественного фотоплеохроизма в изученных структурах при обеспечении в них условий инверсии знака фототока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.