Представлены некоторые результаты исследования влияния внешней оптической обратной связи на падение напряжения в инжекционных лазерах на основе Ga-Al-As. Получено, что для этих лазеров характерным является уменьшение напряжения при введении внешней связи на величину порядка 1 мВ. Однако в серии лазеров, излучающих в области спектра 0.76 мкм, обнаружено необычно большее увеличение падения напряжения до 25 мВ. Эффект объясняется присутствием большого тока утечки электронов из активной области лазера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.