Вышедшие номера
Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ
Косырев Н.Н., Швец В.А., Михайлов Н.Н., Варнаков С.Н., Овчинников С.Г., Рыхлицкий С.В., Яковлев И.А.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Psi и Delta непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1-xCdxTe.